[发明专利]制造半导体芯片的方法以及包含通过该方法获得的半导体芯片的半导体器件有效
| 申请号： | 200880104976.6 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101796629A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 赵光济;张敬豪 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 郭国清;樊卫民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 芯片 方法 以及 包含 通过 获得 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于制造半导体芯片的方法，该方法包括：
在半导体晶片的表面上形成含氟聚合物涂层；
将所述半导体晶片切片；以及
移除所述含氟聚合物涂层，
其中所述含氟聚合物涂层由CaHbFcOdSeNf表示，其中a为 10-10,000，b为10-20,000，c为10-20,000，d为10-1,000，e为0-100， 和f为0-1,000。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氟聚合物涂层具有约 0.1μm-10μm的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述含氟聚合物涂层还 包括以下步骤：
施加包含含氟溶剂的脱涂层剂；和
清洁所述半导体晶片。
4.根据权利要求3所述的方法，其中通过蒸气脱脂工艺或浸渍工 艺将所述脱涂层剂施加在所述含氟涂层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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