[发明专利]用于检测半导体异常的装置和方法

权利要求书

1.一种用于检测半导体衬底中异常的方法，包括以下步骤：

a.提供半导体衬底，

b.制作所述衬底的检查图像I，

c.通过图像处理从图像I生成图像K，

d.通过使图像K二值化而生成图像B，

e.使用图像B检视图像I，该步骤e还包括：

使图像B的像素聚类并成组，以及

拣选图像I中相应的像素聚类并且保留具有最高对比度的聚类；

其特征在于，步骤c包括将得自于图像I的高通卷积滤波图像G(I)乘以通过对图像I 进行模糊加权或二值化图像I而生成的第一权重图像W1。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括制作所述衬底的图像J的步骤b’，并且其中 所述第一权重图像W1是通过对得自于图像J的高通卷积滤波图像G(J)进行模糊加权或阈 值滤波而生成的。

3.根据权利要求1-2之一所述的方法，其中所述高通卷积滤波图像G(I)是通过3X3 拉普拉斯卷积滤波实现的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中步骤b包括以具有在NIR范围内的波长的背光 照亮所述衬底。

5.根据权利要求2所述的方法，其中步骤b包括以具有在NIR范围内的波长的背光 照亮所述衬底，并且步骤b’包括以具有与所述背光等同波长范围的漫射前光照亮所述衬 底。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述异常包括穿透和/或非穿透的微裂。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底具有多晶硅。

8.一种用于检测半导体衬底中异常的装置，包括：

a.用于保持半导体衬底的装置，

b.用于照亮所述衬底背侧的背光源，

c.用于照亮所述衬底前侧的漫射前光源，

d.用于捕获所述照亮的衬底的图像的照相机，

e.用于通过以下方式处理所述捕获的图像的图像处理单元：将得自于所述捕获的图像 的高通卷积滤波图像G(I)乘以通过对所述捕获的图像进行模糊加权或阈值滤波所述捕获 的图像而生成的第一权重图像W1，由此生成经处理的图像K，其中所述图像处理单元通 过二值化图像K生成图像B；

其特征在于，所述背光和漫射前光的波长在等同的范围内。

9.根据权利要求8所述的装置，所述照相机为单个照相机。

10.根据权利要求8-9之一所述的装置，其中所述波长在NIR范围内。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述波长选自介于935纳米和965纳米之间 的范围。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述波长基本上为950纳米。

13.根据权利要求8所述的装置，还包括阻挡可见光的光学滤波器。

14.根据权利要求8所述的装置，其中所述背光源包括这样安装的LED，即所述LED 被安装为在两个LED之间具有一距离并且距离所述半导体衬底一距离，从而每个LED的 光与至少一个其他LED的光重叠。

15.根据权利要求8所述的装置，其中所述漫射前光源包括这样安装的LED，即所述 LED被安装为在两个LED之间具有一距离并且距离所述半导体衬底一距离，从而每个 LED的光与至少一个其他LED的光重叠。