[发明专利]导电体层的制造方法

权利要求书

1.导电体层的制造方法，其特征在于，包括以下的2个步骤：

在将基体加热的状态下，以下述(1)的成膜条件在该基体上形成第1层的步骤1，其中该第1层由添加了选自Nb、Ta、Mo、As、Sb、Al、Hf、Si、Ge、Zr、W、Co、Fe、Cr、Sn、Ni、V、Mn、Tc、Re、P及Bi构成的掺杂剂组中的1种或2种以上的掺杂剂的氧化钛形成，

在将基体加热的状态下，以下述(2)的成膜条件在所述第1层上形成第2层的步骤2，其中该第2层由添加了选自所述掺杂剂组中的1种或2种以上的掺杂剂的氧化钛形成，

(1)单层成膜试验中，获得含多晶且该多晶不含金红石型结晶的层的成膜条件，

(2)单层成膜试验中，获得含多晶且该多晶含金红石型结晶的层的成膜条件。

2.如权利要求1所述的导电体层的制造方法，其特征在于，所述步骤1及所述步骤2中的基体温度为150～600℃。

3.如权利要求1或2所述的导电体层的制造方法，其特征在于，所述第1层中的掺杂剂的含量及第2层中的掺杂剂的含量在钛原子(Ti)和掺杂剂的金属原子(M)的合计量计为100原子％时都为1～10原子％。

4.如权利要求1～3中任一项所述的导电体层的制造方法，其特征在于，所述掺杂剂组由Nb及Ta构成。

5.如权利要求1～4中任一项所述的导电体层的制造方法，其特征在于，所述导电体层含多晶层且该多晶层不含金红石型结晶层。

6.如权利要求1～5中任一项所述的导电体层的制造方法，其特征在于，所述第1层的膜厚为5～50nm，且第1层的膜厚和第2层的膜厚合计为20～1000nm。

7.如权利要求1～6中任一项所述的导电体层的制造方法，其特征在于，所述导电体层的结晶粒径为0.2～1.5μm。

8.如权利要求1～7中任一项所述的导电体层的制造方法，其特征在于，所述第1层及第2层通过溅射法形成，形成所述第2层时的气氛气体中的氧化性溅射气体的浓度低于形成所述第1层时的气氛气体中的氧化性溅射气体的浓度。

9.如权利要求1～8中任一项所述的导电体层的制造方法，其特征在于，所述第1层及第2层通过溅射法形成，形成所述第2层时使用的靶中的氧原子含量低于形成所述第1层时使用的靶中的氧原子含量。

10.如权利要求1～9中任一项所述的导电体层的制造方法，其特征在于，所述步骤2中的基体温度高于所述步骤1中的基体温度。