[发明专利]发光装置有效
| 申请号: | 200880104332.7 | 申请日: | 2008-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN101785121A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
| 发明(设计)人: | 村崎嘉典;原田雅史;高岛优 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;C09K11/08;C09K11/59;C09K11/64 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张宝荣 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,包含:
发光元件;
红色萤光体,由氮化物萤光体构成,通过所述发光元件的光所激励而 发光;
绿色萤光体,由卤代硅酸盐构成,通过所述发光元件的光所激励而发 光;
YAG系萤光体,通过所述发光元件的光所激励而发光,
所述红色萤光体通过Eu被激活,由下述通式(I)表示,
M1wAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z):Eu2+ (I)
在此,M1是选自由Mg、Ca、Sr及Ba构成的组中的至少一种,0.056 ≤w≤9、x=1、0.056≤y≤18、0≤z≤0.5,
所述绿色萤光体由下述通式(II)或(III)表示,
(M21-yEuy)aMgMb3Oa+2bX2 (II)
在此,M2是选自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn构成的组中的至少一种, M3是Si,X是Cl,0.0001≤y≤0.3、7.0≤a≤10.0、3.0≤b≤5.0,
M5xEuyMgSizOaXb (III)
在此,M5是选自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn构成的组中的至少一种, X是选自由F、Cl、Br及I构成的组中的至少一种,6.5≤x≤8.0、 0.01≤y≤2.0、3.7≤z≤4.3、0<w≤0.5、a=x+y+1+2z+(3/2)w-b/2-(3/2)c、 1.0≤b≤1.9、0≤c≤3.0,
发光光谱具有440nm以上470nm以下的第一峰值波长、510nm以上 550nm以下的第二峰值波长、630nm以上670nm以下的第三峰值波长,所 述第二峰值波长和所述第三峰值波长之间的最低相对发光强度值比所述 第二峰值波长的相对发光强度值和所述第三峰值波长的相对发光强度值 中任一较低的一方的值的80%要大,
并且,平均显色评价数Ra为85以上。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述发光元件的峰 值波长和所述绿色萤光体的峰值波长之差为80nm以下。
3.如权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,所述YAG系萤 光体由下述通式(IV)表示,
M63M75O12:Ce (IV)
在此,M6是选自由稀土元素构成的组中的至少一种,M7是选自由B、 Al、Ga及In构成的组中的至少一种。
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