[发明专利]显示装置的制造方法和叠层构造体有效
申请号: | 200880104150.X | 申请日: | 2008-06-12 |
公开(公告)号: | CN101785086A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 锦博彦;冈部达 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 构造 | ||
1.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括:
准备在背面形成有剥离层的挠性基板的基板准备步骤;
通过粘接层在所述挠性基板上形成的剥离层上粘贴支撑基板的支 撑基板粘贴步骤;
在粘贴有所述支撑基板的挠性基板的表面形成规定的器件的器件 形成步骤;和
对于形成有所述器件的挠性基板,通过使所述剥离层剥离将所述 支撑基板除去的支撑基板除去步骤,
在所述基板准备步骤中准备的挠性基板与所述剥离层之间设置有 保护层,
所述保护层由金属薄膜形成。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述剥离层含有氢,
在所述支撑基板除去步骤中,从所述挠性基板的背面侧对所述挠 性基板照射光以使氢从所述剥离层脱离,由此使该剥离层剥离。
3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述剥离层由非晶硅薄膜形成。
4.如权利要求3所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述非晶硅薄膜内的氢浓度为4~30质量%。
5.如权利要求4所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述非晶硅薄膜内的氢浓度为10~20质量%。
6.如权利要求3所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
将包括含有非晶硅的直径1~100nm的颗粒的溶液涂敷在所述挠 性基板的背面形成膜之后,利用热处理将该膜致密化,由此形成所述 非晶硅薄膜。
7.如权利要求2所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述光的波长为250~650nm。
8.如权利要求7所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述光的波长为350~550nm。
9.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
将所述剥离层形成为30~1000nm的层厚。
10.如权利要求9所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
将所述剥离层形成为100~500nm的层厚。
11.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述粘接层由有机硅树脂形成。
12.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
将所述粘接层形成为5~300μm的层厚。
13.如权利要求12所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
将所述粘接层形成为50~150μm的层厚。
14.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述支撑基板的线膨胀率与所述挠性基板的线膨胀率的差为0~ 10ppm/℃。
15.如权利要求14所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述支撑基板的线膨胀率与所述挠性基板的线膨胀率的差为0~ 3ppm/℃。
16.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述挠性基板的厚度为3~200μm。
17.如权利要求16所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述挠性基板的厚度为30~100μm。
18.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述支撑基板的厚度为0.5~1.5mm。
19.如权利要求18所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述支撑基板的厚度为0.7~1.1mm。
20.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述金属薄膜含有Al、Ag或Mo。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造