[发明专利]显示装置的制造方法和叠层构造体有效

专利信息
申请号: 200880104150.X 申请日: 2008-06-12
公开(公告)号: CN101785086A 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 锦博彦;冈部达 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 制造 方法 构造
【权利要求书】:

1.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括:

准备在背面形成有剥离层的挠性基板的基板准备步骤;

通过粘接层在所述挠性基板上形成的剥离层上粘贴支撑基板的支 撑基板粘贴步骤;

在粘贴有所述支撑基板的挠性基板的表面形成规定的器件的器件 形成步骤;和

对于形成有所述器件的挠性基板,通过使所述剥离层剥离将所述 支撑基板除去的支撑基板除去步骤,

在所述基板准备步骤中准备的挠性基板与所述剥离层之间设置有 保护层,

所述保护层由金属薄膜形成。

2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述剥离层含有氢,

在所述支撑基板除去步骤中,从所述挠性基板的背面侧对所述挠 性基板照射光以使氢从所述剥离层脱离,由此使该剥离层剥离。

3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述剥离层由非晶硅薄膜形成。

4.如权利要求3所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述非晶硅薄膜内的氢浓度为4~30质量%。

5.如权利要求4所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述非晶硅薄膜内的氢浓度为10~20质量%。

6.如权利要求3所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

将包括含有非晶硅的直径1~100nm的颗粒的溶液涂敷在所述挠 性基板的背面形成膜之后,利用热处理将该膜致密化,由此形成所述 非晶硅薄膜。

7.如权利要求2所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述光的波长为250~650nm。

8.如权利要求7所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述光的波长为350~550nm。

9.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

将所述剥离层形成为30~1000nm的层厚。

10.如权利要求9所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

将所述剥离层形成为100~500nm的层厚。

11.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述粘接层由有机硅树脂形成。

12.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

将所述粘接层形成为5~300μm的层厚。

13.如权利要求12所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

将所述粘接层形成为50~150μm的层厚。

14.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述支撑基板的线膨胀率与所述挠性基板的线膨胀率的差为0~ 10ppm/℃。

15.如权利要求14所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述支撑基板的线膨胀率与所述挠性基板的线膨胀率的差为0~ 3ppm/℃。

16.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述挠性基板的厚度为3~200μm。

17.如权利要求16所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述挠性基板的厚度为30~100μm。

18.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述支撑基板的厚度为0.5~1.5mm。

19.如权利要求18所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述支撑基板的厚度为0.7~1.1mm。

20.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:

所述金属薄膜含有Al、Ag或Mo。

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