[发明专利]制备层次制品的方法

权利要求书

1.制备层次制品的方法，该方法包括：

提供包含纳米特征化图案的基材；

向所述基材添加层；和

在所述层中产生微结构化图案，

其中产生微结构化图案包括去除所述层的至少一部分以露出所述基材的至少一部分。

2.根据权利要求1的方法，其中所述纳米特征化图案是通过选自如下的工艺制备的，所述工艺为：阳极化、光复制、激光烧蚀、电子束光刻、纳米压印光刻、光接触光刻、投影光刻、倾斜光刻、光干涉光刻、反应性离子蚀刻和离子束蚀刻。

3.根据权利要求2的方法，其中所述纳米特征化图案是通过包括反应性离子蚀刻的工艺制备的。

4.根据权利要求1的方法，其中所述层包括光致抗蚀剂。

5.根据权利要求1的方法，其中所述方法其中所述微结构化图案处在如下角度，该角度为相对于所述基材平面的角度为非90°的角度。

6.根据权利要求1的方法，其中所述纳米特征化图案是通过包括干涉光刻的方法形成的。

7.制备层次制品的方法，该方法包括：

提供包含纳米特征化图案的基材；

向所述基材添加层；和

在所述层中产生微结构化图案，

其中产生微结构化图案包括去除所述层的至少一部分以露出所述基材的至少一部分，和其中所述纳米特征化图案是通过包括干涉光刻的方法形成的。

8.根据权利要求1的方法，该方法进一步包括：

向所述微结构化图案施加聚合物；和

将所述聚合物与所述图案分离以制得复制品。

9.制备制品的方法，该方法包括：

提供包含微结构的基材；

向所述微结构添加纳米粒子；和

利用所述纳米粒子作为蚀刻掩模，蚀刻去除所述微结构的至少一部分以形成纳米特征，

其中所述纳米粒子在比所述基材显著更慢的速率下蚀刻。

10.根据权利要求9的方法，其中蚀刻去除所述微结构的至少一部分包括反应性离子蚀刻。

11.根据权利要求9的方法，其中所述纳米离子包括金属氧化物、金属氮化物、金属或其组合。

12.根据权利要求11的方法，其中所述纳米粒子包括氧化铟锡。

13.根据权利要求1、7或9的方法，该方法进一步包括：

向所述层次制品添加聚合物；和

将所述聚合物与所述层次制品分离以制备复制品。

14.根据权利要求13的方法，该方法进一步包括在添加所述聚合物之前向所述层次制品添加脱模涂层。

15.根据权利要求14的方法，其中所述脱模涂层包含氟硅烷。

16.根据权利要求13的方法，该方法进一步包括在添加所述聚合物之前向所述层次制品添加保护涂层。

17.根据权利要求16的方法，其中所述保护涂层包括金属。

18.根据权利要求17的方法，该方法进一步包括向所述金属添加脱模涂层。

19.根据权利要求18的方法，其中所述脱模涂层包括氟化膦酸。

20.根据权利要求13的方法，其中所述聚合物包括热固性树脂。

21.根据权利要求20的方法，该方法进一步包括硬化所述树脂。

22.根据权利要求21的方法，其中所述树脂包括聚硅氧烷。

23.利用权利要求1、7或9的方法制成的复制品。

24.由权利要求23的复制品制成的模具。