[发明专利]气体传感器

权利要求书

1.用于测定气体混合物、特别是内燃机废气中的气体成分的气体传感器，其具有涂于由半导体材料制成的基板(13)上的和暴露于待测气体混合物的气敏层，其特征在于，所述气敏层含银。

2.权利要求1的气体传感器，其特征在于，所述气敏层还含硬币金属元素铑、铱、钯和铂。

3.权利要求1或2的气体传感器，其特征在于，所述半导体材料是场效晶体管的构件。

4.权利要求3的气体传感器，其特征在于，所述气敏层是所述场效晶体管的门电极(17)的构件。

5.权利要求4的气体传感器，其特征在于，将所述气敏层设计成金属门电极(17)的涂层，该气敏层和该门电极(17)由不同材料制成，并且所述气敏层与该门电极(17)的金属电极材料呈直接物理接触。

6.权利要求1-5之一的气体传感器，其特征在于，所述基板(13)的半导体材料是氮化镓或碳化硅。

7.权利要求1-6之一的气体传感器，其特征在于，提供第一和第二场效晶体管，所述第一场效晶体管包含气敏层，所述第二场效晶体管包含另一气敏层，所述气敏层和所述另一气敏层在材料组成上是不同的。

8.权利要求7的气体传感器，其特征在于，所述另一气敏层至少部分由含元素周期表第9、10或11族的除银外的至少一种元素的材料构成。

9.上述权利要求之一的传感器，其特征在于，提供加热元件用于加热该传感器。

10.用上述权利要求之一的传感器来测定气体混合物、特别是内燃机废气中的气体成分的方法，其特征在于，首先将气体传感器加热到高于室温的第一高温，并在该温度下进行第一次气体成分测定，在第二步中，将所述气体传感器加热到高于室温的第二高温，所述第二高温高于第一高温，并在所述第二高温下进行第二次气体成分测定。

11.权利要求10的方法，其特征在于，第一次测定时所得的测量信号与氧化氮浓度相关联，第二次测定时所得的测量信号与气体混合物中的氧化氮浓度、氨浓度和/或氢浓度的总和相关联。

12.用上述权利要求之一的传感器来测定气体混合物、特别是内燃机废气中的气体成分的方法，所述传感器包括至少两个场效晶体管，其特征在于，用所述至少两个场效晶体管各产生一个测量信号，并且相互比较两个测量信号。

13.权利要求12的方法，其特征在于，求所述两测量信号之差，并且该差与气体混合物中的烃浓度相关联。

14.权利要求1-9之一的气体传感器或权利要求10-13之一的方法在监控NO_x存贮催化器(Speicherkatalysator)或SCR废气后处理系统中的功效中的应用。