[发明专利]抗反射涂料组合物无效
| 申请号: | 200880102956.5 | 申请日: | 2008-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN101778876A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
| 发明(设计)人: | 向中;单槛会;殷建;D·阿布达拉 | 申请(专利权)人: | AZ电子材料美国公司 |
| 主分类号: | C08G12/12 | 分类号: | C08G12/12;C08G12/32;C08L61/32;G03F7/09 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王健 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 反射 涂料 组合 | ||
1.聚合物,它是(i)被两个或更多个烷氧基取代的氨基塑料或(ii)被两个或更多个烷氧基甲基取代的芳族化合物、未取代或取代的萘或萘酚结构部分和任选的二醇的缩合产物。
2.权利要求1的聚合物,它是(i)被两个或更多个烷氧基取代的氨基塑料、未取代或取代的萘或萘酚结构部分和任选的二醇的缩合产物,该未取代或取代的萘或萘酚结构部分可以取代有一个或多个吸电子基团。
3.权利要求1或2的聚合物,其中所述被两个或更多个烷氧基取代的氨基塑料选自甘脲-醛树脂、蜜胺-醛树脂、苯并胍胺-醛树脂和脲-醛树脂,其中所述醛优选是甲醛。
4.权利要求1-3中任一项的聚合物,其中所述被两个或更多个烷氧基取代的氨基塑料选自四(烷氧基甲基)甘脲或六烷氧基甲基蜜胺,和/或其中所述萘酚结构部分选自1-萘酚和2-萘酚,和/或其中所述四(烷氧基甲基)甘脲选自四(甲氧基甲基)甘脲、四(乙氧基甲基)甘脲、四(正丙氧基甲基)甘脲、四(异丙氧基甲基)甘脲、四(正丁氧基甲基)甘脲和四(叔丁氧基甲基)甘脲。
5.权利要求1-4中任一项的聚合物,其中所述聚合物是四(烷氧基甲基)甘脲,选自1-萘酚和2-萘酚的萘酚结构部分和二醇的缩合产物,或它是(ii)被两个或更多个烷氧基甲基取代的芳族化合物、未取代或取代的萘或萘酚结构部分和任选的二醇的缩合产物。
6.权利要求1-5中任一项的聚合物,其中所述二醇具有以下式
HO-B-OH
其中B是未取代或取代的亚烃基,例如,未取代或取代的直链或支化的任选含一个或多个氧或硫原子的亚烷基,未取代或取代的亚环烷基和未取代或取代的亚芳基。
7.抗反射涂料组合物,其包含a)聚合物;b)酸或酸产生剂;和非必要的c)一种或多种交联剂,该聚合物是(i)被两个或更多个烷氧基取代的氨基塑料或(ii)被两个或更多个烷氧基甲基取代的芳族化合物、未取代或取代的萘或萘酚结构部分和任选的二醇的缩合产物。
8.权利要求7的抗反射涂料组合物,它含有一种或多种交联剂,该交联剂可以选自甘脲-醛树脂、蜜胺-醛树脂、苯并胍胺-醛树脂、脲-醛树脂、多元醇、被两个或更多个烷氧基取代的芳族化合物和它们的混合物。
9.权利要求7或8的抗反射涂料组合物,其中所述抗反射涂料组合物能够形成当在248nm下测量时具有大约1.8-大约2.2的折射指数(n)和大约0.05-大约0.40的吸收参数(k)的抗反射涂膜,优选能够形成当在248nm下测量时具有大约1.9-大约2.1的折射指数(n)和大约0.10-大约0.25的吸收参数(k)的抗反射涂膜。
10.在基材上形成图像的方法,包括a)用权利要求7-9中任一项的组合物涂覆基材;b)加热步骤a)的涂层;c)在步骤b)的涂层上由光致抗蚀剂溶液形成涂层;d)加热该光致抗蚀剂涂层以从该涂层中基本上除去溶剂;e)将该光致抗蚀剂涂层成像曝光;f)使用碱性显影剂水溶液将图像显影;g)任选地,在显影之前和之后加热该基材;和h)干蚀刻步骤b)的涂层。
11.涂层基材,包括:在其上具有权利要求7-9中任一项的抗反射涂料组合物的抗反射涂膜的基材,该涂层基材可以具有在该抗反射涂膜上涂覆的光致抗蚀剂的涂膜。
12.包含乙烯基或(甲基)丙烯酸酯聚合物;酸或酸产生剂和非必要的一种或多种交联剂的抗反射涂料组合物,所述聚合物包含至少一个未取代或取代的萘或萘酚结构部分,所述抗反射涂料组合物能够形成当在248nm下测量时具有大约1.8-大约2.2的折射指数(n)和大约0.05-大约0.40的吸收参数(k)的抗反射涂膜。
13.权利要求12的组合物,其中所述聚合物选自
其中R20独立地选自氢或低级烷基;R22独立地选自氢、低级烷基或吸电子基团;L是直接键或有机结构部分;n是0-7的整数,和其中所述抗反射涂料组合物可以含有一种或多种交联剂,该交联剂优选选自甘脲-甲醛树脂、蜜胺-甲醛树脂、苯并胍胺-甲醛树脂、脲-甲醛树脂、多元醇和它们的混合物。
14.权利要求13的抗反射涂料组合物,其中L是未取代或取代的亚烷基、未取代或取代的亚芳基或未取代或取代的亚环烷基或其中L是未取代或取代的亚烷基。
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