[发明专利]硅光电倍增器触发网络

权利要求书

1.一种装置包括：

半导体衬底(301)；

在所述衬底上制造的多个雪崩光电二极管(310)；

在所述衬底上制造并且在操作中与所述雪崩光电二极管电通信从而产生触发信号的多个光子触发电路(312)；

在所述衬底上制造并且以分级结构布置的触发线(302、304、306)，所述分级结构包括第一级和第二级，其中所述第一级包括从多个所述触发电路接收触发信号的第一触发线(302、304)；

从所述第一级的第一触发线接收触发信号的第一转发器(318、320)，其中所述第二级包括从所述第一转发器接收触发信号的第一触发线(304)。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二级的第一触发线从第一多个转发器接收触发信号。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一级包括第二触发线，所述第一级的第一触发线从所述触发电路的第一子集接收触发信号，所述第一级的第二触发线从所述触发电路的第二子集接收触发信号，所述装置包括从所述第一级的第二触发线接收触发信号的第二转发器，并且所述第二级的第一触发线从所述第一和第二转发器接收触发信号。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述雪崩光电二极管和光子触发电路被布置成单元(308)，所述单元以第一(416_m)和第二(416_m+1)列布置，并且所述第一和第二转发器在物理上位于所述第一列和第二列之间。

5.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一多个转发器包括第一转发器和第二转发器，并且所述第一和第二转发器的输出端以线或非布置而连接。

6.根据权利要求2所述的装置，其中所述分级结构包括第三级，所述第三级包括第一触发线(306)，并且所述第三级的第一触发线从第二多个转发器(320)接收触发信号。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述雪崩光电二极管和触发电路被布置成形成探测器像素的单元，所述单元以周界(400)为界限，并且所述第三级的第一触发线的至少一部分位于所述周界的内部。

8.根据权利要求1所述的装置，包括在所述衬底上制造的时间数字转换器(322)，其中所述时间数字转换器包括触发输入端，并且其中所述第一级的第一触发线、第一转发器和第二级的第一触发线形成所述触发电路和所述触发输入端之间的电信号路径的至少一部分。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一级包括多个触发线，其中所述多个触发线的每一个触发线从多个触发电路接收触发信号，并且被连接到转发器的输入端，并且其中沿着所述多个触发线的长度的传播延迟基本上相等。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述多个触发线的长度基本上相等。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述雪崩光电二极管被布置成单元，所述单元被布置在包括第一列和第二列的阵列中，并且所述第一级包括以碟形结构(502)布置的从所述第一列和第二列的单元接收触发信号的四个触发线。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述第一级包括多个碟形结构。

13.根据权利要求1所述的装置，包括在所述衬底上制造的触发验证逻辑(324)，其中逻辑根据第一第Q-光子验证模式和第二第R-光子验证模式来操作，其中R比Q大。

14.根据权利要求1所述的装置，包括与所述多个雪崩光电二极管光学通信的闪烁器(210)材料。

15.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置形成正电子发射断层摄影系统(200)的部件。

16.一种方法，包括：

使用硅光电倍增器(208)的雪崩光电二极管(308)来探测光子；

响应于来自所述雪崩光电二极管的信号生成光子触发信号；

在第一触发线(302)处接收所述光子触发信号；

经由所述硅光电倍增器的第一转发器(318)在第二触发线(304)处从所述第一触发线接收触发信号。

17.根据权利要求16所述的方法，包括经由所述硅光电倍增器的第二转发器(320)在第三触发线(306)处从所述第二触发线接收触发信号。