[发明专利]用于执行谐波抑制混频的谐波抑制混频器单元和方法

权利要求书

1.一种谐波抑制混频器单元，包括：

输入(RF)；

具有至少两个晶体管单元(T3a、T3b、T4a、T4b)的至少一个谐波 抑制单元(HRU)，用于把来自所述输入(RF)的输入信号与乘法信号(ELO) 相乘；以及

晶体管控制信号产生单元(GGU)，用于通过从本地振荡器信号(LO) 导出针对所述至少一个谐波抑制单元(HRU)的所述至少两个晶体管单元 (T3a、T3b、T4a、T4b)的晶体管控制信号，来产生所述晶体管控制信 号，

其中，针对所述至少两个晶体管单元(T3a、T3b、T4a、T4b)的晶 体管控制信号是以小于50％的占空比产生的，并且被产生为使得通过对 来自晶体管单元(T3a、T3b；T4a、T4b)的输出信号进行相长求和来得 到乘法信号(ELO)的形状，其中，所述晶体管控制信号被产生为使得仅 对具有相同符号或为零的来自晶体管单元(T3a、T3b；T4a、T4b)的输 出信号进行求和，

其中，所述谐波抑制混频器单元还包括：

变频增益调制装置(CGU；GM)，与所述至少一个谐波抑制单元(HRU) 串联耦合，并且包括：至少一个变频增益调制单元(CGM、V2I1-V2IN)， 用于执行电压至电流转换，以及用于对所述电压至电流转换的增益进行 调制，从而对所述谐波抑制混频器单元的变频增益进行调制。

2.根据权利要求1所述的谐波抑制混频器单元，还包括：

端接晶体管单元(T2a、T2b)，如果关断所述至少一个谐波抑制单元 (HRU)中的所述至少两个晶体管单元(T3a、T3b、T4a、T4b)，则所述 端接晶体管单元(T2a、T2b)提供所述至少两个晶体管单元(T3a、T3b、 T4a、T4b)与端接节点(TN)的端接。

3.根据权利要求2所述的谐波抑制混频器单元，其中

所述晶体管控制信号产生单元(GGU)适于通过从所述本地振荡器信 号(LO)导出针对所述端接晶体管单元(T2a、T2b)的晶体管控制信号 (GS2)，来产生该晶体管控制信号，其中，所述针对所述端接晶体管单 元(T2a、T2b)的晶体管控制信号(GS2)的频率是所述至少两个晶体管 单元(T3a、T3b、T4a、T4b)的晶体管控制信号的频率的两倍。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的谐波抑制混频器单元，其中

在平衡实施方式中，每个晶体管单元包括至少两个晶体管。

5.根据权利要求1至2中任一项所述的谐波抑制混频器单元，其中

在单端实施方式中，每个晶体管单元包括至少一个晶体管。

6.根据权利要求1至2中任一项所述的谐波抑制混频器单元，包括：

至少一个混频器单元(MU)，被设置为与所述至少一个谐波抑制单元 (HRU)并联，并且包括至少两个晶体管单元(T6a、T6b；T7a、T7b)，

其中，由晶体管控制信号产生单元(GGU)产生的、针对所述混频器 单元(MU)处的至少两个晶体管单元(T6a、T6b；T7a、T7b)的晶体管 控制信号(GS6、GS7)具有50％的占空比。

7.根据权利要求1至2中任一项所述的谐波抑制混频器单元，其中

至少两个谐波抑制单元(HRU；HRU1-HRUN)被并联地设置。

8.根据权利要求1至2中任一项所述的谐波抑制单元，其中

如果对于多个谐波抑制单元(HRU)，不会针对多于一个的谐波抑制 单元(HRU)而同时激活端接晶体管单元(T2a、T2b)，并且如果这些谐 波抑制单元(HRU)耦合至具有相同增益设置的变频增益调制单元(CGM； V2I1-V2IN)，则单个变频增益调制单元(CGM；V2I1-V2IN)能够耦合至 所有的谐波抑制单元(HRU)。