[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置以及曝光装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置在基板上具有半导体层和平坦化层，当俯视基板时所述平坦化层为包围半导体层的形状，所述制造方法的特征在于，包括：

在基板上形成半导体层的工序；

在半导体层上形成感光性有机膜的工序，所述感光性有机膜具有与半导体层的光吸收波段重复的感光波段；和

将该感光波段的光从基板侧对感光性有机膜曝光，并对感光性有机膜进行显影而形成平坦化层的工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述制造方法还包括：在半导体层上形成层间绝缘膜的工序；和在层间绝缘膜的相对于半导体层重叠的区域中形成开口部的工序。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述制造方法还包括在平坦化层上形成层间绝缘膜的工序，

所述感光性有机膜使用介电常数比层间绝缘膜的材料更低的材料形成。

4.一种半导体装置，其在基板上具有半导体层，该半导体装置的特征在于：

该半导体装置具有当俯视基板时为包围半导体层的形状的平坦化层，

该平坦化层由感光性有机膜形成，所述感光性有机膜具有与半导体层的光吸收波段重复的感光波段。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体装置在半导体层上具有层间绝缘膜，

该层间绝缘膜在其与半导体层重叠的区域中具有开口部。

6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体装置在平坦化层上具有层间绝缘膜，

所述感光性有机膜由介电常数比层间绝缘膜的材料更低的材料形成。

7.一种曝光装置，其为半导体装置制造用的曝光装置，所述半导体装置在基板上具有半导体层和平坦化层，所述平坦化层是将感光性有机膜形成图案为当俯视基板时包围半导体层的形状而形成，所述曝光装置的特征在于：

具备光源，所述光源从基板侧对感光性有机膜照射与半导体层的光吸收波段和平坦化层的感光波段重复的波段的光。