[发明专利]振荡器和使用该振荡器的接收装置及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及振动出振荡信号的振荡器和使用该振荡器的接收装置及电子设 备。

背景技术

图7是现有的基准振荡器的电路图。在图7的基准振荡器100中，振子101 例如是AT切割石英晶体振子。与振子101并联的激励电路102例如由CMOS反 相器构成。此外，相对于振子101和地连接有负载电容103、104。

一般作为手机等通信设备、电视接收机等高频接收装置的基准频率来使用的 基准振荡器，都要求对于环境的频率稳定性。其中特别是对于温度变化的频率稳 定性是重要的性能之一，例如，在电视接收机中，在使用温度范围内至少要求 ±60ppm以下的稳定性。要具有这种性能，基准振荡器100的结构就十分有用， 在要求高精度的频率稳定性的装置中，由石英构成的振子101是必要器件。

但是，由石英构成的振子101是保持被切断成规定切割的石英片的一部分， 使振动部中空悬浮的构造，因此难以小型化。加之需要一个个地制造上述构造的 器件，难以低成本化。

因此，为了弥补石英构成的基准振荡器100的缺点，已发表了一种使用了利 用半导体制造工序的硅振子的振荡器。与图7同样地构成使用硅振子的基准振荡 器。但是，由于硅材料的温度系数大，因此振荡频率与温度变化共同变化。于是， 使用温度传感器部检测周围温度变化，进行使频率成为一定值的温度补偿控制。

图8是现有的振荡器的方框图。在图8中，现有振荡器201具有：生成基准 振荡信号的基准振荡器202；合成器部204，以从该基准振荡器202输出的基准 振荡信号为基础，输出本机振荡信号；检测温度的温度传感器部205；控制部206。 控制部206根据温度传感器部205的检测结果，对从合成器部204输出的本机振 荡信号进行频率调整。利用该控制部206，根据温度传感器部205对基准振荡器 202的温度检测结果，进行对合成器部204的输出频率进行调整的温度补偿控制。 再有，该技术内容例如已在专利文献1中公开。

在此，基准振荡器202中所包含的硅振子(未图示)的温度系数大到30ppm /℃。因此，控制部206按照温度传感器部205的检测结果所输出的频率调整量， 与其关联成为较大值。其结果，合成器部204输出的本机振荡信号的频率变动量 变大。

另一方面，在高频接收装置中，使用从振荡器输出的信号进行变换后得到的 本机振荡信号，把接收到的高频信号进行频率变换后作为中间频率信号，在后段 进行解调处理，因此要求该中间频率信号的频率稳定无变动。从而，在作为高频 接收装置的振荡器进行使用的情况下，作为温度补偿控制的结果，若中间频率信 号的频率变动大，就有可能解调部不能进行解调处理。这样，使用了温度系数大 的振子的振荡器，即使在附加了温度补偿控制电路时，也不能在手机和广播接收 调谐器等的高频接收装置的领域中进行使用。

专利文献1：美国专利第7145402号

发明内容

本发明提供一种即使温度系数大也能够适应于高频接收装置的振荡器。

本发明的振荡器构成为，若假设与变频器的输出侧连接的解调部的频率变动 跟踪性为fv，则使受控制部控制的合成器部的频率调整单位fstep小于fv。

根据上述结构，能够兼顾振荡器的温度补偿控制和高频接收装置的接收处 理，能将温度系数大的振荡器适应于高频接收装置。

附图说明

图1A是本发明的实施方式1中的搭载了振荡器的接收装置的方框图。

图1B是本发明的实施方式1中的搭载了接收装置的电子设备的方框图。

图2是本发明的实施方式2中的搭载了振荡器的接收装置的方框图。

图3是本发明的实施方式3中的搭载了振荡器的接收装置的方框图。

图4是本发明的实施方式4中的搭载了振荡器的接收装置的方框图。

图5是示出本发明的实施方式4中的振荡器的温度传感器部和积分器的输出 时间变化的图。

图6是本发明的实施方式5中的搭载了振荡器的接收装置的方框图。

图7是现有的基准振荡器的电路图。

图8是现有的振荡器的方框图。

符号说明

1振荡器

2基准振荡器

3变频器

4合成器部

5温度传感器部

6控制部