[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

发光二极管，所述发光二极管具有上表面；以及

在所述发光二极管上的单个磷光体层，所述单个磷光体层具有第一厚 度和第二厚度，并包括图案和凹槽，

其中所述图案和所述凹槽被布置在所述发光二极管的上表面上，

其中所述图案具有比所述凹槽的深度大的所述第一厚度，以及

其中在所述凹槽之下的所述单个磷光体层具有比所述图案的所述第一 厚度小的所述第二厚度，

其中所述发光二极管包括第一型半导体层、位于所述第一型半导体层 上的有源层、以及位于所述有源层上的第二型半导体层，

其中所述单个磷光体层与所述有源层上的所述第二型半导体层的上表 面直接接触，

其中所述图案的间隔为0.8μm至5μm，所述图案的高度为300nm至 3000nm。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述单个磷光体层被设置到所 述发光二极管的侧表面。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述单个磷光体层直接接触所 述发光二极管的上表面。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述单个磷光体层形成在所述 发光二极管的整个上表面上。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述图案包括圆柱形、环形、 半球形、六棱柱状、四棱柱状、格栅图案、四面体状和棱锥状中的一种。

6.一种发光装置封装，包括：

衬底；

在所述衬底上的第一和第二导电构件；

在所述衬底上的发光二极管，所述发光二极管与所述第一和第二导电 构件电连接；以及

在所述发光二极管上的单个磷光体层，所述单个磷光体层具有第一厚 度和第二厚度，并包括图案和凹槽，

其中所述图案和所述凹槽被布置在所述发光二极管的上表面上，

其中所述图案具有比所述凹槽的深度大的所述第一厚度，以及

其中在所述凹槽之下的所述单个磷光体层具有比所述图案的所述第一 厚度小的所述第二厚度，

其中所述发光二极管包括第一型半导体层、位于所述第一型半导体层 上的有源层、以及位于所述有源层上的第二型半导体层，

其中所述单个磷光体层与所述有源层上的所述第二型半导体层的上表 面直接接触，

其中所述图案的间隔为0.8μm至5μm，所述图案的高度为300nm至 3000nm。

7.根据权利要求6所述的发光装置封装，其中在衬底中形成空腔，并且 所述发光二极管在所述空腔中。

8.根据权利要求6所述的发光装置封装，包括围绕所述发光二极管和所 述单个磷光体层的成形构件。

9.根据权利要求8所述的发光装置封装，其中所述发光二极管和所述成 形构件由所述单个磷光体层隔开。

10.根据权利要求8所述的发光装置封装，其中所述成形构件在没有形成 所述单个磷光体层的区域中接触所述发光二极管。

11.根据权利要求8所述的发光装置封装，其中所述单个磷光体层形成在 所述发光二极管的整个上表面上。

12.根据权利要求8所述的发光装置封装，其中所述单个磷光体层形成在 所述发光二极管的上表面和侧表面上。

13.根据权利要求8所述的发光装置封装，其中在所述单个磷光体层的上 表面中形成所述图案。