[发明专利]用于发光器件的单晶荧光体光转化结构无效
| 申请号： | 200880025158.7 | 申请日： | 2008-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN101755031A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | R·P·莱托奎恩;N·W·小梅登多普;B·P·克勒;A·查克拉博尔蒂 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C09K11/79 | 分类号： | C09K11/79;C09K11/80 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 林毅斌;林森 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 发光 器件 荧光 转化 结构 | ||
1.一种固态发光器件，所述固态发光器件包括：
固态发光晶粒，所述固态发光晶粒经构造以在其激发时发射光；和
光转化结构，所述光转化结构包括在所述固态发光晶粒的发光表面上的单晶荧光体。
2.权利要求1的固态发光器件，其中所述光转化结构经由粘合层连接至所述发光表面。
3.权利要求2的固态发光器件，其中所述粘合层包含聚硅氧烷聚合物。
4.权利要求2的固态发光器件，其中所述光转化结构经定的尺寸以适合所述固态发光晶粒的发光表面。
5.权利要求1的固态发光器件，其中所述单晶荧光体包含铈。
6.权利要求5的固态发光器件，其中所述单晶荧光体包含浓度为约0.1％-约20％的铈。
7.权利要求5的固态发光器件，其中所述单晶荧光体包含Ce3+掺杂的Y3Al5O12(Ce:YAG)。
8.权利要求5的固态发光器件，其中所述单晶荧光体包含铈掺杂的CaxSryMg1-x-yAlSiN3或铈掺杂的硫化镓酸锶。
9.权利要求1的固态发光器件，其中所述单晶荧光体包含铕。
10.权利要求9的固态发光器件，其中所述单晶荧光体包含浓度为约0.5％-约20％的铕。
11.权利要求9的固态发光器件，其中所述单晶荧光体包含Eu2+掺杂的Sr2-XBaxSiO4(BOSE)。
12.权利要求9的固态发光器件，其中所述单晶荧光体包含铕掺杂的材料，其中所述材料选自CaxSr1-xAlSiN3、硫化镓酸锶、α-SiAlON、硅石榴石、Y2O2S和La2O2S。
13.权利要求1的固态发光器件，其中所述单晶荧光体的表面被纹理化、糙化、蚀刻和/或特征化。
14.权利要求1的固态发光器件，其中所述光转化结构直接在所述固态发光晶粒的发光表面上。
15.权利要求1的固态发光器件，其中所述光转化结构充当所述固态发光晶粒的底材。
16.权利要求1的固态发光器件，其中所述单晶荧光体的厚度为约10nm-约200微米。
17.一种制造固态发光器件的方法，所述方法包括：
置放包括单晶荧光体的光转化结构于固态发光晶粒的发光表面上。
18.权利要求17的方法，其中置放所述单晶荧光体于所述发光表面上包括粘合连接所述光转化结构至所述固态发光晶粒的发光表面。
19.权利要求17的方法，其中置放所述单晶荧光体于所述发光表面上包括经由薄膜沉积技术在所述固态发光晶粒的表面上生长单晶荧光体。
20.一种制造固态发光器件的方法，所述方法包括
在包括单晶荧光体的光转化结构的表面上生长固态发光晶粒。
21.权利要求20的方法，其中所述光转化结构的表面在所述固态发光晶粒在其上生长之前被抛光。
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