[发明专利]硅烷的再循环和再利用无效
申请号: | 200880024496.9 | 申请日: | 2008-06-05 |
公开(公告)号: | CN101808937A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | N·萨克希纳;N·玛木伦;B·库德贝克 | 申请(专利权)人: | 琳德有限公司 |
主分类号: | C01B33/00 | 分类号: | C01B33/00;C23C16/22 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 项丹;周承泽 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅烷 再循环 再利用 | ||
1.一种对来自硅层沉积工艺中使用的沉积室的硅烷或硅烷/氢气混合物进行回收和再循环的方法,该方法包括:
确定所述沉积工艺过程中的时段,在这些时段,仅有过量的硅烷或硅烷/氢气混合物从沉积室排出;
在所述确定的时段中,收集所述从沉积室排出的硅烷或硅烷/氢气混合物;以及
将收集的硅烷或硅烷/氢气混合物再循环到所述沉积室。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述硅沉积工艺是薄膜硅层沉积工艺。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述硅沉积工艺是太阳能电池制造工艺。
4.一种用来沉积硅层的系统,该系统包括:
沉积室;
固定在沉积室内的基片;
与所述沉积室连通的硅烷源;
与沉积室相连的能源,用来活化硅烷,以在基片上沉积硅层;
收集装置,所述收集装置与沉积室连通,用来收集过量的从沉积室排出的硅烷,将收集的硅烷再循环到沉积室。
5.如权利要求4所述的系统,其特征在于,所述系统是用来沉积硅薄膜的系统。
6.如权利要求4所述的系统,其特征在于,所述系统是用来制造太阳能电池的系统。
7.如权利要求4所述的系统,其特征在于,所述能源是热能源、微波能源或等离子体能源。
8.如权利要求4所述的系统,其特征在于,所述硅烷源是硅烷、乙硅烷或者硅烷/氢气混合物。
9.一种在沉积室内在基片上沉积硅层的方法,该方法包括:
在沉积循环的第一部分,为沉积室提供硅烷源,用来在所述基片上沉积硅层;
在沉积循环的第二部分,向沉积室提供与至少一种其它气体混合的硅烷源,用来在基片上沉积混合的硅层;
在所述沉积循环的第二部分中,将从沉积室排出的过量的气体送到废气处理装置;
在沉积循环的第一部分中,收集从沉积室排出的过量的硅烷,并将收集的硅烷再循环到沉积室。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述硅层是硅薄膜。
11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述硅层是太阳能电池的一部分。
12.如权利要求9所述的系统,其特征在于,所述硅烷源是硅烷、乙硅烷或者硅烷/氢气混合物。
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