[发明专利]硅烷的再循环和再利用无效

专利信息
申请号: 200880024496.9 申请日: 2008-06-05
公开(公告)号: CN101808937A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: N·萨克希纳;N·玛木伦;B·库德贝克 申请(专利权)人: 琳德有限公司
主分类号: C01B33/00 分类号: C01B33/00;C23C16/22
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 项丹;周承泽
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 硅烷 再循环 再利用
【权利要求书】:

1.一种对来自硅层沉积工艺中使用的沉积室的硅烷或硅烷/氢气混合物进行回收和再循环的方法,该方法包括:

确定所述沉积工艺过程中的时段,在这些时段,仅有过量的硅烷或硅烷/氢气混合物从沉积室排出;

在所述确定的时段中,收集所述从沉积室排出的硅烷或硅烷/氢气混合物;以及

将收集的硅烷或硅烷/氢气混合物再循环到所述沉积室。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述硅沉积工艺是薄膜硅层沉积工艺。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述硅沉积工艺是太阳能电池制造工艺。

4.一种用来沉积硅层的系统,该系统包括:

沉积室;

固定在沉积室内的基片;

与所述沉积室连通的硅烷源;

与沉积室相连的能源,用来活化硅烷,以在基片上沉积硅层;

收集装置,所述收集装置与沉积室连通,用来收集过量的从沉积室排出的硅烷,将收集的硅烷再循环到沉积室。

5.如权利要求4所述的系统,其特征在于,所述系统是用来沉积硅薄膜的系统。

6.如权利要求4所述的系统,其特征在于,所述系统是用来制造太阳能电池的系统。

7.如权利要求4所述的系统,其特征在于,所述能源是热能源、微波能源或等离子体能源。

8.如权利要求4所述的系统,其特征在于,所述硅烷源是硅烷、乙硅烷或者硅烷/氢气混合物。

9.一种在沉积室内在基片上沉积硅层的方法,该方法包括:

在沉积循环的第一部分,为沉积室提供硅烷源,用来在所述基片上沉积硅层;

在沉积循环的第二部分,向沉积室提供与至少一种其它气体混合的硅烷源,用来在基片上沉积混合的硅层;

在所述沉积循环的第二部分中,将从沉积室排出的过量的气体送到废气处理装置;

在沉积循环的第一部分中,收集从沉积室排出的过量的硅烷,并将收集的硅烷再循环到沉积室。

10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述硅层是硅薄膜。

11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述硅层是太阳能电池的一部分。

12.如权利要求9所述的系统,其特征在于,所述硅烷源是硅烷、乙硅烷或者硅烷/氢气混合物。

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