[发明专利]存储元件及存储器

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

存储层，根据磁性物质的磁化状态保持信息，

其中，在所述存储层上设置磁化固定层，其间插入有中 间层，

所述中间层由绝缘体形成，

所述存储层的磁化方向通过在层压方向上注入自旋极化 的电子而发生改变，从而将所述信息记录到所述存储层，

所述存储层的热膨胀系数等于或者大于1×10^-5[/K]，以及 至少在所述存储层的周围设置热膨胀系数等于或小于 5×10^-6[/K]的绝缘层，从而将变形施加到所述存储层上。

2.一种存储器，包括：

存储元件，其具有根据磁性物质的磁化状态保持信息的 存储层，其中，在所述存储层上设置磁化固定层，其间插入有 中间层，所述中间层由绝缘体形成，并且所述存储层的磁化方 向通过在层压方向上注入自旋极化的电子而发生改变，从而将 所述信息记录到所述存储层；以及

配线，用于提供在所述存储元件的层压方向上流动的电 流，

其中，在所述存储元件中，所述存储层的热膨胀系数等 于或大于1×10^-5[/K]，并且至少在所述存储层的周围设置热膨 胀系数等于或小于5×10^-6[/K]的绝缘层，从而将变形施加到所 述存储层上。

3.一种存储器，包括：

存储单元，它们均由存储元件形成，所述存储元件具有 根据磁性物质的磁化状态保持信息的存储层，其中，在所述存 储层上设置磁化固定层，其间插入有中间层，所述中间层由绝 缘体形成，并且所述存储层的磁化方向通过在层压方向上注入 自旋极化的电子而发生改变，从而将所述信息记录到所述存储 层；以及

配线，用于提供在所述存储元件的层压方向上流动的电 流，

其中，所述存储单元以矩阵形式设置，以及

通过在存储单元行之间嵌入热膨胀系数与所述存储单元 的存储元件周围的材料的热膨胀系数不同的材料，而将变形施 加到所述存储层。

4.根据权利要求3所述的存储器，

其中，所述存储单元的存储元件具有所述存储单元的行 方向是纵向方向的平面形状，以及

在与所述存储单元的行方向平行的方向上，形成与所述 存储元件周围的材料具有不同的热膨胀系数的材料。

5.一种存储器，包括：

存储单元，由存储元件形成，所述存储元件具有根据磁 性物质的磁化状态保持信息的存储层，其中，在所述存储层上 设置磁化固定层，其间插入有中间层，所述中间层由绝缘体形 成，且所述存储层的磁化方向通过在层压方向上注入自旋极化 的电子而发生改变，从而将所述信息记录到所述存储层；以及

配线，用于提供在所述存储元件的层压方向上流动的电 流，

其中，设置有多个所述存储单元，以及

彼此相邻的所述存储单元通过元件分离层相互绝缘，并 且变形从所述元件分离层施加到所述存储元件的存储层。

6.一种存储元件，包括：

存储层，根据磁性物质的磁化状态保持信息，

其中，在所述存储层上设置磁化固定层，其间插入有中 间层，

所述中间层由绝缘体形成，

所述存储层的磁化方向通过在层压方向上注入自旋极化 的电子而发生改变，从而将所述信息记录到所述存储层，以及

形成所述存储元件的层或与所述存储元件相邻层压的 层，这二者中的至少一个层使用与所述存储层具有不同的热膨 胀系数的材料，从而将变形施加到所述存储层。

7.一种存储器，包括：

存储元件，其具有根据磁性物质的磁化状态保持信息的 存储层，其中，在所述存储层上设置磁化固定层，其间插入有 中间层，所述中间层由绝缘体形成，并且所述存储层的磁化方 向通过在层压方向上注入自旋极化的电子而发生改变，从而将 所述信息记录到所述存储层；以及

配线，用于提供在所述存储元件的层压方向上流动的电 流，

其中，形成所述存储元件的层或与所述存储元件层压的 层，这二者中的至少一个层使用与所述存储层具有不同的热膨 胀系数的材料，从而将变形施加到所述存储层。