[发明专利]用于等离子体增强的化学气相沉积和斜边蚀刻的系统

权利要求书

1.一种处理多片基板的装置，包括：

一加载互锁真空室；

一传送腔室，耦合至所述加载互锁真空室；以及

一个或多个双处理腔室，耦合至所述传送腔室，其中各双处理腔室限定两 个独立的处理区域，且各处理区域包括：

一基板支撑件，具有基板支撑表面；

一等离子体产生器，经配置以将等离子相的蚀刻剂提供至所述基板支 撑表面的周边区域；以及

一气体传送组件，包括连接至可开关切换的功率源的气体碗，其中所 述气体碗包括：

外壁；

内壁；以及

底部，其中所述外壁、所述内壁以及所述底部形成第一空间，所 述第一空间经由第一入口埠而与第一气体源连接，穿过所述底部的周 边边缘区域形成有多个狭缝，所述多个狭缝将所述第一空间与所述处 理区域相连，所述内壁和所述底部的穿孔部分形成第二空间，所述第 二空间被所述第一空间围绕，所述第二空间经由第二入口埠而与第二 气体源连接，并且穿过所述底部的所述穿孔部分形成有多个孔洞，所 述多个孔洞将所述第二空间与所述处理区域相连。

2.如权利要求1的装置，其中所述等离子体产生器包括：

一第一电极；以及

一第二电极，所述第二电极与所述第一电极分隔，其中所述第一电极与所 述第二电极间的距离依不同位置而不同。

3.如权利要求2的装置，其中所述气体传送组件的所述第一空间经由所述 第一入口埠接收来自所述第一气体源的蚀刻气体，以将蚀刻气体供至所述等离 子体产生器。

4.如权利要求2的装置，其中所述第一电极耦合至射频功率偏压，而所述 第二电极耦合至接地电压、DC偏压或AC偏压之一。

5.如权利要求2的装置，其中至少所述第一电极包含一倾斜部分。

6.如权利要求2的装置，其中所述第二电极设置在所述气体传送组件的一 部分上。

7.如权利要求2的装置，其中所述第二电极设置在所述基板支撑件上。

8.如权利要求2的装置，其中所述等离子体产生器设置在所述气体传送组 件的外侧。

9.如权利要求1的装置，其中所述第二气体源更配置成经由所述气体传送 组件提供处理气体，以于设置在各处理区域中的基板上形成沉积膜。

10.一种处理多片基板的装置，包括：

一加载互锁真空室；

一传送腔室，耦合至所述加载互锁真空室；

一个或多个双处理腔室，适于执行沉积处理，其中所述一个或多个双处理 腔室耦合至所述传送腔室；以及

一基板边缘处理腔室，耦合至所述传送腔室，其中所述基板边缘处理腔室 和所述加载互锁真空室垂直地堆叠在一起，并且所述基板边缘处理腔室包括：

一基板支撑件，具有用于承载基板的基板支撑表面；

一远程等离子体源，经配置以将等离子相的蚀刻剂提供至所述基板支 撑表面的周边区域；以及

一气体传送组件，包括气体分布碗，其中所述气体分布碗包括：

外壁；

内壁；以及

底部，其中所述底部的周边区域具有多个狭缝，所述多个狭缝配 置为将等离子相的蚀刻剂从所述远程等离子体源输送到所述基板的边 缘区域，气体导管由所述内壁界定并开通至所述底部的中央区域，所 述气体导管耦合至清洁气体源，以朝所述基板的中央区域输送惰性气 体。

11.如权利要求10的装置，其中所述气体传送组件更耦合至一蚀刻气体源， 以将蚀刻气体供至所述远程等离子体源。

12.如权利要求10的装置，其中所述基板边缘处理腔室系设置在所述传送 腔室与一制造界面之间。