[发明专利]晶片/带状晶体方法和装置

权利要求书

1.一种加工带状晶体的方法，所述方法包括：

提供线带状晶体；以及

去除所述线带状晶体的至少一个边缘，其中，所述带状晶体包括 多个大晶粒、多个小晶粒和多个载流子，所述多个载流子具有扩散长 度，所述多个大晶粒具有最小外部尺寸，所述最小外部尺寸大于所述 载流子的所述扩散长度的2倍，所述去除包括在所述带状晶体中留下 所述大晶粒中的大部分并且从所述带状晶体中去除所述小晶粒中的大 部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个边缘包括线， 所述去除包括去除所述一个边缘的所述线的大部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除包括在所述线带 状晶体上形成基本上平的边缘。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除包括在所述线带 状晶体上形成不平的边缘。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除包括去除所述线 带状晶体的两个边缘。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，每个边缘包括线，所述去 除包括基本上完全去除所述边缘的所述线。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在去除所述线带状晶体的至少一个边缘之后，将所述带状晶体分 离成多个单个晶片。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在去除所述线带状晶体的至少一个边缘之前，在所述线带状晶体 上形成背表面接触，

在形成所述背表面接触之后，将所述带状晶体分离成多个单个晶 片。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述晶片中的至少一个上形成背表面接触，其中所述去除形成 新边缘，所述背表面接触基本上延伸到所述新边缘。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述晶片中的至少一个上形成背表面接触，其中所述去除形成 新边缘，所述背表面接触与所述新边缘分隔。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述提供包括从熔融的 硅生长所述带状晶体，所述去除包括随着所述带状晶体生长去除所述 至少一个边缘。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述提供包括从熔融的 硅生长所述带状晶体，所述去除包括在所述带状晶体完成生长之后去 除所述至少一个边缘。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个边缘包括 线，所述去除包括去除所述一个边缘的所述线的基本上全部。

14.一种线带状晶片，包括：

主体，所述主体包括多个晶粒，所述多个晶粒包括多个大晶粒和 多个小晶粒，

所述主体还具有多个载流子，所述多个载流子具有扩散长度，

所述多个大晶粒具有最小外部尺寸，所述最小外部尺寸大于所述 载流子的所述扩散长度的2倍，

所述多个晶粒中的大部分是大晶粒，

所述主体基本上没有线。

15.根据权利要求14所述的线带状晶片，其中，所述多个大晶粒 的外部尺寸在所述载流子的所述扩散长度的2至5倍之间。

16.根据权利要求14所述的线带状晶片，其中，所述主体包括基 本上平的边缘。

17.根据权利要求14所述的线带状晶片，其中，所述主体包括具 有不规则图案的边缘。

18.根据权利要求14所述的线带状晶片，还包括具有背表面接触 的背面。

19.根据权利要求18所述的线带状晶片，其中，所述主体具有至 少一个边缘，所述背表面接触延伸到所述边缘。

20.根据权利要求18所述的线带状晶片，其中，所述主体具有至 少一个边缘，所述背表面接触与所述边缘分隔。