[发明专利]清洁CMP后的晶片的热学方法

权利要求书

1.一种CMP后的清洁方法，包含：

在100℃以上的温度下，在气态氧化环境中处理晶片；然 后

在100℃以上的温度下，在气态还原环境中处理该晶片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在该氧化环境中处理该晶片 包括在包含O₂的气氛中处理该晶片。

3.根据权利要求2所述的方法，其中该气氛包含在1％到10％之 间的O₂。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在该氧化环境中处理该晶片 包括在包含O₃的气氛中处理该晶片。

5.根据权利要求4所述的方法，其中该气氛包含在1％到2％之 间的O₃。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该氧化环境的温度在150℃ 到250℃之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中该氧化环境的气压是1托。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在该氧化环境中处理该晶片 包括将该晶片在该氧化环境中保持1分钟到5分钟之间的驻留 时间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在该还原环境中处理该晶片 包括在包含H₂的气氛中处理该晶片。

10.根据权利要求9所述的方法，其中该气氛包含H₂和惰性气体 的混合物。

11.根据权利要求1所述的方法，其中该还原环境中的气压在1 托到10托之间。

12.根据权利要求1所述的方法，其中该还原环境的温度在150℃ 到250℃之间。

13.根据权利要求1所述的方法，其中该氧化环境的温度和该还原 环境的温度是一样的。

14.根据权利要求1所述的方法，其中在该还原环境中处理该晶片 包括将该晶片在该还原环境中保持1分钟到2分钟之间的驻留 时间。

15.根据权利要求1所述的方法，进一步包含在在该氧化环境中处 理该晶片之前，用碱溶液处理该晶片。

16.根据权利要求15所述的方法，其中该碱溶液的pH值在8到 11的范围内。

17.根据权利要求15所述的方法，其中该碱溶液包含氢氧化四甲 基铵。

18.根据权利要求15所述的方法，其中在该碱溶液中处理该晶片 包括将该晶片在该碱溶液中保持30秒到2分钟的驻留时间。

19.一种清洁CMP后的晶片的方法，该晶片包括具有Cu₂O表面 层的导电特征，该方法包含：

在第一气态环境中氧化该Cu₂O表面层以形成CuO表面 层；然后

在第二气态环境中将该CuO表面层还原为元素Cu。

20.根据权利要求19所述的方法，其中该第一气态环境包含包括 温度在100℃以上的O₂的气氛。

21.根据权利要求19所述的方法，其中该第一气态环境包含包括 温度在100℃以上的O₃的气氛。

22.根据权利要求19所述的方法，其中该第二气态环境包含包括 温度在100℃以上的H₂的气氛。

23.根据权利要求19所述的方法，进一步包含在氧化该Cu₂O表 面层之前，用碱溶液大体上除去残留物层。

24.根据权利要求23所述的方法，其中该碱溶液的pH值在8到 11的范围内。

25.根据权利要求23所述的方法，其中该碱溶液包含氢氧化四甲 基铵。