[发明专利]一种光刻胶清洗剂无效
| 申请号: | 200880023292.3 | 申请日: | 2008-07-01 | 
| 公开(公告)号: | CN101755240A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 | 
| 发明(设计)人: | 史永涛;彭洪修;曹惠英;刘兵 | 申请(专利权)人: | 安集微电子(上海)有限公司 | 
| 主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42;H01L21/02;C23G1/06;C11D1/83 | 
| 代理公司: | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人: | 李佳铭 | 
| 地址: | 200000 中国上海市浦东新区张江*** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光刻 洗剂 | ||
1.一种光刻胶清洗剂,其特征在于含有:季铵氢氧化物、水、烷基二醇芳基醚、 二甲基亚砜和聚羧酸类缓蚀剂;烷基二醇芳基醚中烷基二醇的碳原子数目为 3~18,其中,所述的烷基二醇芳基醚为丙二醇单苯基醚、异丙二醇单苯基醚、 二乙二醇单苯基醚、二丙二醇单苯基醚、二异丙二醇单苯基醚、三乙二醇单 苯基醚、三丙二醇单苯基醚、三异丙二醇单苯基醚、六缩乙二醇单苯基醚、 六缩丙二醇单苯基醚、六缩异丙二醇单苯基醚、丙二醇单苄基醚、异丙二醇 单苄基醚或己二醇单萘基醚。
2.如权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的季铵氢氧化物为四 甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵或苄基 三甲基氢氧化铵。
3.如权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的季铵氢氧化物的含 量为质量百分比0.1~15%。
4.如权利要求3所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的季铵氢氧化物的含 量为质量百分比0.5~10%。
5.如权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的水的含量为质量百 分比0.1~40%。
6.如权利要求5所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的水的含量为质量百 分比0.5~25%。
7.如权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的烷基二醇芳基醚的 含量为质量百分比1~50%。
8.如权利要求7所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的烷基二醇芳基醚的 含量为质量百分比5~30%。
9.如权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的二甲基亚砜的含量 为质量百分比1~98%。
10.如权利要求9所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的二甲基亚砜的含量 为质量百分比50~90%。
11.如权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的聚羧酸类缓蚀剂为 聚丙烯酸或其共聚物、聚甲基丙烯酸或其共聚物、聚丙烯酸醇胺盐、聚甲基 丙烯酸醇胺盐、聚氧乙烯改性聚丙烯酸或其衍生物、聚氧乙烯改性聚甲基丙 烯酸或其衍生物、聚环氧琥珀酸、聚天冬氨酸、含羧基的聚己内酯或含羧基 的聚丙交酯。
12.如权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的聚羧酸类缓蚀剂的 含量为质量百分比0.01~5%。
13.如权利要求12所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的聚羧酸类缓蚀剂 的含量为质量百分比0.05~2.5%。
14.如权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的光刻胶清洗剂还含 有极性有机共溶剂、表面活性剂和除聚羧酸类以外的其它缓蚀剂中的一种或 多种。
15.如权利要求14所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的极性有机共溶剂 的含量为质量百分比0~50%;所述的表面活性剂的含量为质量百分比0~5%; 所述的除聚羧酸类以外的其它缓蚀剂的含量为质量百分比0~10%。
16.如权利要求15所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的极性有机共溶剂 的含量为质量百分比5~30%;所述的表面活性剂的含量为质量百分比 0.05~3%;所述的除聚羧酸类以外的其它缓蚀剂的含量为质量百分比0.1~5%。
17.如权利要求14所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的极性有机共溶剂 为亚砜、砜、咪唑烷酮、醇胺和烷基二醇单烷基醚中的一种或多种;烷基二 醇单烷基醚中烷基二醇的碳原子数目为3~18;所述的表面活性剂为聚乙烯 醇、聚乙烯吡咯烷酮或聚氧乙烯醚;所述的除聚羧酸类以外的其它缓蚀剂为 醇胺类、唑类、羧酸类或膦酸类缓蚀剂。
18.如权利要求17所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的亚砜为二乙基亚 砜或甲乙基亚砜。
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