[发明专利]新的4-{3-[4-(3-{4-[氨基(丁氧基羰基亚氨基)甲基]苯氧基}丙基)-1-哌啶基]丙氧基}-N'-(丁氧基羰基)苯甲脒晶体无效
申请号: | 200880023244.4 | 申请日: | 2008-07-02 |
公开(公告)号: | CN101730682A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 满山顺一;青木直克 | 申请(专利权)人: | 富山化学工业株式会社 |
主分类号: | C07D211/22 | 分类号: | C07D211/22 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 唐晓峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氨基 丁氧基 羰基 甲基 苯氧基 丙基 哌啶 丙氧基 苯甲脒 晶体 | ||
技术领域
本发明涉及4-{3-[4-(3-{4-[氨基(丁氧基羰基亚氨基)甲基]苯氧基}丙基)-1-哌啶基]丙氧基}-N′-(丁氧基羰基)苯甲脒的新晶体,其可作为抗真菌剂。
背景技术
4-{3-[4-(3-{4-[氨基(丁氧基羰基亚氨基)甲基]苯氧基}丙基)-1-哌啶基]丙氧基}-N′-(丁氧基羰基)苯甲脒(下文称作“化合物A”)对于真菌(包括耐吡咯真菌)具有有效的活性,口服吸收良好,与其他药物的相互作用弱,具有很高的安全性,可以用作抗真菌剂(专利文献1)。通过在专利文献1中所述的制备方法制造的化合物A的晶体称作“I型晶体”。
[专利文献1]国际公开文本第WO2007/074868号。发明内容 本发明要解决的问题
化合物A的晶体作为药物具有更良好的性质,特别是强烈期望它具有下列性质:易于处理。 解决该问题的方法
在这些情况下,本发明人热情地进行了深入研究,结果,发现了在粉末X-射线衍射图的2θ衍射角方面在5.8,18.2,20.9和24.7°的位置具有峰的化合物A的晶体(下文称作“II型晶体”),在粉末X-射线衍射图的2θ衍射角方面在8.7,12.0,22.2和24.3°的位置具有峰的化合物A的晶体(下文称作“III型晶体”)和在粉末X-射线衍射图的2θ衍射角方面在9.8和23.5°的位置具有峰的化合物A的晶体(下文称作“IV型晶体”)作为药物是非常优良的,因为(1)其振实密度高,(2)其很难负有电荷,(3)其易于处理,(4)压缩模压加工性好,(5)难有粘性,和(6)可以大量生产,由此他们实现了本发明。
发明效果
本发明的晶体,(1)其振实密度高,(2)其很难负有电荷,(3)其易于处理,(4)压缩模压加工性好,(5)难有粘性,和(6)可以大量生产,适用作药物。
实施本发明的最佳方式
下面详细描述本发明。本发明涉及在粉末X-射线衍射图的2θ衍射角方面在5.8,18.2,20.9和24.7°的位置具有峰的II型晶体,在粉末X-射线衍射图的2θ衍射角方面在8.7,12.0,22.2和24.3°的位置具有峰的III型晶体,和在粉末X-射线衍射图的2θ衍射角方面在9.8和23.5°的位置具有峰的IV型晶体。本发明的这些晶体是迄今为止未知的,并且在专利文献1中根本未描述,是新的晶体。此外,可以通过测量条件改变粉末X-射线衍射的特征峰。因此,本发明的化合物的粉末 X-射线衍射峰并非严格解释的。
下面解释本发明的化合物的制备方法。II型晶体,例如,可以通过如下所示的制备方法来制备。
[制备方法1]II型晶体可以通过将I型晶体在溶剂中悬浮和搅拌来制备。对于该制备所使用的溶剂,给出酮类,例如甲乙酮和甲基异丁基酮;醇类,例如2-丙醇和丁醇;酯类,例如乙酸乙酯和乙酸丁酯;醚类,例如1,4-二噁烷;脂肪族烃类,例如庚烷和环己烷;S-氧化物类,例如二甲亚砜;芳香族烃类,例如甲苯;腈类,例如乙腈;酰胺类,例如N,N-二甲基甲酰胺和N-甲基吡咯烷酮;和水。这些溶剂可以组合使用。以I型晶体的重量为基准,所使用的溶剂的量期望是1至100倍体积(v/w),优选5至10倍体积(v/w)。搅拌的温度期望是50至150℃,优选70至120℃。搅拌的时间期望是0.1至5小时,优选0.5至3小时。根据上述方法,可以使用下文所述的III型晶体或IV型晶体代替I型晶体来制备II型晶体。
III型晶体,例如,可以通过如下所示的制备方法来制备。
[制备方法2]III型晶体可以通过将I型晶体在水性溶剂中悬浮和搅拌来制备。对于该制备所使用的溶剂,给出酮类,例如甲乙酮;醇类,例如丁醇;酯类,例如乙酸乙酯;醚类,例如四氢呋喃;芳香族烃类,例如甲苯;和卤代烃类,例如氯仿。这些溶剂可以组合使用。以I型晶体的重量为基准,所使用的水性溶剂的量期望是1至 100倍体积(v/w),优选2至10倍体积(v/w)。溶剂和水的比例期望的范围是,其中(溶剂)/(水)是99/1至30/70,优选范围是,其中(溶剂)/(水)是90/10至50/50。搅拌的温度期望是10至40℃,优选20至30℃。搅拌的时间期望是0.1小时至30天,优选1小时至14天。根据上述方法,可以使用II型晶体代替I型晶体来制备III型晶体。
[制备方法3] III型晶体可以通过在存在或不存在碱时将式[1]的化合物与反应性衍生物反应后结晶来制备。
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