[发明专利]凹凸表面缺陷的检测方法及装置

权利要求书

1.一种磁性金属的凹凸表面缺陷的检测方法，其特征在于，对于 厚度为0.4～2.3mm的磁性金属，探测由瑕疵被辊转印时产生的、凹凸 量为0.5～6μm、缺陷面积为10mm²以上1000mm²以下的辊性微小凹凸 表面缺陷的变形引起的从外加了磁通的所述磁性金属泄露的磁通，

外加了所述磁通的所述磁性金属的磁通密度为磁饱和时的磁通密 度的75％以上且小于95％，

将所述磁性金属与探测所述泄露的磁通的检测装置的距离设定为 0.5～1.5mm。

2.一种磁性金属的凹凸表面缺陷的检测方法，其特征在于，对于 厚度为0.4～2.3mm的磁性金属，探测由瑕疵被辊转印时产生的、凹凸 量为0.5～6μm、缺陷面积为10mm²以上1000mm²以下的辊性微小凹凸 表面缺陷的变形引起的从外加了磁通的所述磁性金属泄露的磁通，

组合多个条件进行所述探测，所述多个条件包括外加了所述磁通 的所述磁性金属的磁通密度为磁饱和时的磁通密度的75％以上且小于 95％的条件和为磁饱和时的磁通密度的95％以上的条件，

将所述磁性金属与探测所述泄露的磁通的检测装置的距离设定为 0.5～1.5mm。

3.一种磁性金属的凹凸表面缺陷的检测方法，其特征在于，对于 厚度为0.4～2.3mm的磁性金属，探测由瑕疵被辊转印时产生的、凹凸 量为0.5～6μm、缺陷面积为10mm²以上1000mm²以下的辊性微小凹凸 表面缺陷的变形引起的从外加了磁通的所述磁性金属泄露的磁通，

外加于所述磁性金属的磁场的强度为4000A/m以上且小于 25000A/m，

将所述磁性金属与探测所述泄露的磁通的检测装置的距离设定为 0.5～1.5mm。

4.一种磁性金属的凹凸表面缺陷的检测方法，其特征在于，对于 厚度为0.4～2.3mm的磁性金属，探测由瑕疵被辊转印时产生的、凹凸 量为0.5～6μm、缺陷面积为10mm²以上1000mm²以下的辊性微小凹凸 表面缺陷的变形引起的从外加了磁通的所述磁性金属泄露的磁通，

将外加于所述磁性金属的磁场的强度为4000A/m以上且小于 25000A/m的情况和为25000A/m以上的情况组合而进行所述探测，

将所述磁性金属与探测所述泄露的磁通的检测装置的距离设定为 0.5～1.5mm。

5.如权利要求1～4中任一项所述的检测方法，其中，所述泄露的 磁通是由在成为缺陷产生原因的辊的下游工序及具有退火作用的工序 的上游工序中产生的所述辊性微小凹凸表面缺陷的变形引起的物理 量。

6.如权利要求1～4中任一项所述的检测方法，其中，所述泄露的 磁通是由在成为缺陷产生原因的辊的下游工序及表面光轧后的工序中 产生的所述辊性微小凹凸表面缺陷的变形引起的物理量。

7.一种磁性金属的制造方法，其特征在于，使用权利要求1～4中 任一项所述的检测方法。

8.一种磁性金属的制造方法，其特征在于，使用权利要求5所述 的检测方法。

9.一种磁性金属的制造方法，其特征在于，使用权利要求6所述 的检测方法。

10.一种磁性金属的凹凸表面缺陷的检测装置，对于厚度为 0.4～2.3mm的磁性金属，探测由瑕疵被辊转印时产生的、凹凸量为 0.5～6μm、缺陷面积为10mm²以上1000mm²以下的辊性微小凹凸表面 缺陷的变形引起的从外加了磁通的所述磁性金属泄露的磁通，其特征 在于，

具有对磁性金属进行磁化而外加磁通的磁化器、和探测所述从外 加了磁通的所述磁性金属泄露的磁通的磁传感器，

外加了所述磁通的所述磁性金属的磁通密度为磁饱和时的磁通密 度的75％以上且小于95％，

将所述磁性金属与所述磁传感器的距离设定为0.5～1.5mm。