[发明专利]结合界面导电簇的薄膜晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

有源层，所述有源层包含半导体；

栅极、源极和漏极触点，所述栅极、源极和漏极触点电耦合至所述有源层；

栅极电介质，所述栅极电介质相对所述栅极触点进行布置；以及

不连续导电簇层，所述不连续导电簇层设置在所述栅极电介质与所述有源层之间。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述导电簇层设置在所述介电材料的表面上。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中：

所述场效应晶体管包括沟道；以及

所述导电簇层包括多个缩短所述沟道有效长度的导电性区域。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述有源层包含一层或多层基于溶液的有机半导体材料。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述有源层包含一层或多层聚合物型半导体。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述有源层包含一层或多层低分子量的有机半导体。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述有源层包含一层或多层有机半导体与聚合物的共混物。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述导电簇层包含主要为非碳金属的材料。

9.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述导电簇的功函数允许与所述有源层形成欧姆接触。

10.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述导电簇层被构造为改善设置在所述导电簇层任一侧上的层之间的接触的润湿层。

11.一种场效应晶体管，包括：

有源层，所述有源层包含半导体材料和碳纳米管；

栅极、源极和漏极触点，所述栅极、源极和漏极触点电耦合至所述有源层；

电介质材料，所述电介质材料相对所述栅极触点进行布置；以及

不连续导电材料层，所述不连续导电材料层设置在所述电介质材料和所述有源层之间。

12.根据权利要求11所述的晶体管，其中所述不连续导电材料层被构造为改善设置在所述导电簇层任一侧上的层之间的接触的润湿层。

13.根据权利要求11所述的晶体管，其中所述不连续导电材料层设置在所述电介质材料的表面上。

14.根据权利要求11所述的晶体管，其中所述有源层包含一层或多层基于溶液的有机半导体材料。

15.根据权利要求11所述的晶体管，其中所述不连续导电层的功函数允许与所述有源层形成欧姆接触。

16.一种用于制造具有栅极、源极和漏极触点的场效应晶体管的方法，所述方法包括：

形成包含半导体的有源层；

在所述有源层和所述栅极触点之间形成电介质；以及

在所述电介质和所述有源层之间形成不连续导电簇层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中：

形成所述有源层包括印刷所述有源层、所述电介质或所述触点中的一者或多者；并且

形成所述不连续导电簇层的步骤包括将所述不连续导电簇层沉积或印刷至所述电介质上。

18.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述不连续导电层的步骤包括：

选择具有与所述有源层形成欧姆接触的功函数的导电材料；以及

利用所述选择的导电材料形成所述不连续导电层。

19.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述有源层的步骤包括利用基于溶液的有机半导体形成所述有源层。

20.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述有源层的步骤包括利用有机半导体和碳纳米管形成所述有源层。