[发明专利]低折射率膜、其沉积方法以及防反射膜无效
| 申请号： | 200880021999.0 | 申请日： | 2008-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101688292A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 竹友干裕;河岛利孝;大岛宜浩 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;G02B1/11 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 折射率 沉积 方法 以及 反射 | ||
【权利要求书】：
1.一种低折射率膜的沉积方法，包括通过反应性溅射法在基板上 沉积由MgF2-SiO2构成的低折射率膜，所述低折射率膜的折射 率低于SiO2膜的折射率，其特征在于，
使用由MgF2-SiO2的烧结体构成的靶、通过在惰性气体和 O2的混合气体的气氛中在所述基板与所述靶之间施加频率在 20至90kHz范围内的交流电压来进行溅射沉积。
2.根据权利要求1所述的低折射率膜的沉积方法，其特征在于， 所述靶中的SiO2的含量在5至80摩尔百分比的范围内。
3.根据权利要求1所述的低折射率膜的沉积方法，其特征在于， 所述混合气体的O2流量比在10％至70％的范围内。
4.一种低折射率膜，其特征在于，通过根据权利要求1至3中任 一项所述的低折射率膜的沉积方法来沉积。
5.一种防反射膜，其特征在于，在基板上堆叠Nb2O5层和由根据 权利要求4所述的低折射率膜构成的低折射率层。
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