[发明专利]半导体装置及其制造方法以及图像显示装置有效
| 申请号: | 200880021974.0 | 申请日: | 2008-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN101689566A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
| 发明(设计)人: | 山下嘉久;中谷诚一 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/50 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 图像 显示装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:
树脂薄膜,其具有通孔;
半导体元件,其包括配置成覆盖所述通孔的内壁整体的栅电极、在所 述通孔的内部覆盖所述栅电极的绝缘层、在所述通孔的内部配置在所述绝 缘层上的有机半导体、与该有机半导体电连接的源电极及漏电极,在所述 通孔的内部所述绝缘层位于所述栅电极和所述有机半导体之间,
所述源电极形成在所述有机半导体的一端部,所述漏电极形成在所述 有机半导体的另一端部,并且,所述源电极与所述有机半导体的所述一端 部接触,所述漏电极与所述有机半导体的所述另一端部接触,
所述有机半导体具有中空部,在所述中空部填充有绝缘材料。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述源电极与所述有机半导体的所述一端部整个面接触。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述漏电极与所述有机半导体的所述另一端部整个面接触。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
通过所述源电极、所述漏电极和所述绝缘层密封所述有机半导体。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述漏电极和所述源电极的至少一方在所述通孔的内部与所述有机 半导体接触。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述树脂薄膜具有由第二通孔和形成在该第二通孔的导电性组合物 构成的第二通路,通过该第二通路来电连接配置在所述树脂薄膜的一面上 的配线和配置在所述树脂薄膜的另一面上的配线。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
具有:一个面经由第一粘接层与所述树脂薄膜的所述源电极侧的表面 接触的第二树脂薄膜;由形成在该第二树脂薄膜的第三通孔和形成在该第 三通孔的导电性组合物构成的第三通路,
所述源电极经由所述第三通路与配置在所述第二树脂薄膜的另一面 的配线电连接。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,
所述源电极埋设于所述第一粘接层。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
具有:一个面经由第二粘接层与所述树脂薄膜的所述漏电极侧的表面 接触的第三树脂薄膜;由形成在所述第三树脂薄膜的第四通孔和形成在该 第四通孔的导电性组合物构成的第四通路,
所述漏电极经由所述第四通路与配置在所述第三树脂薄膜的另一面 上的配线电连接。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,
所述漏电极埋设于所述第二粘接层。
11.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述有机半导体由高分子有机半导体构成。
12.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述有机半导体由低分子有机半导体构成。
13.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述树脂薄膜是从聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯 树脂及芳香族聚酰胺树脂构成的组中选择的任意一种。
14.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述源电极及所述漏电极为贵金属。
15.一种图像显示装置,其特征在于,
具备排列有发光元件的显示部和驱动用于该显示部的所述发光元件 的驱动电路层,所述驱动电路层包括权利要求1所述的半导体装置。
16.根据权利要求15所述的图像显示装置,其特征在于,
将权利要求1~14中任一项所述的半导体元件用作进行接通/断开的 开关晶体管。
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