[发明专利]半导体装置及其制造方法以及图像显示装置有效

专利信息
申请号: 200880021974.0 申请日: 2008-07-01
公开(公告)号: CN101689566A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 山下嘉久;中谷诚一 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 图像 显示装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具有:

树脂薄膜,其具有通孔;

半导体元件,其包括配置成覆盖所述通孔的内壁整体的栅电极、在所 述通孔的内部覆盖所述栅电极的绝缘层、在所述通孔的内部配置在所述绝 缘层上的有机半导体、与该有机半导体电连接的源电极及漏电极,在所述 通孔的内部所述绝缘层位于所述栅电极和所述有机半导体之间,

所述源电极形成在所述有机半导体的一端部,所述漏电极形成在所述 有机半导体的另一端部,并且,所述源电极与所述有机半导体的所述一端 部接触,所述漏电极与所述有机半导体的所述另一端部接触,

所述有机半导体具有中空部,在所述中空部填充有绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述源电极与所述有机半导体的所述一端部整个面接触。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

所述漏电极与所述有机半导体的所述另一端部整个面接触。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

通过所述源电极、所述漏电极和所述绝缘层密封所述有机半导体。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述漏电极和所述源电极的至少一方在所述通孔的内部与所述有机 半导体接触。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述树脂薄膜具有由第二通孔和形成在该第二通孔的导电性组合物 构成的第二通路,通过该第二通路来电连接配置在所述树脂薄膜的一面上 的配线和配置在所述树脂薄膜的另一面上的配线。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

具有:一个面经由第一粘接层与所述树脂薄膜的所述源电极侧的表面 接触的第二树脂薄膜;由形成在该第二树脂薄膜的第三通孔和形成在该第 三通孔的导电性组合物构成的第三通路,

所述源电极经由所述第三通路与配置在所述第二树脂薄膜的另一面 的配线电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,

所述源电极埋设于所述第一粘接层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

具有:一个面经由第二粘接层与所述树脂薄膜的所述漏电极侧的表面 接触的第三树脂薄膜;由形成在所述第三树脂薄膜的第四通孔和形成在该 第四通孔的导电性组合物构成的第四通路,

所述漏电极经由所述第四通路与配置在所述第三树脂薄膜的另一面 上的配线电连接。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,

所述漏电极埋设于所述第二粘接层。

11.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述有机半导体由高分子有机半导体构成。

12.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述有机半导体由低分子有机半导体构成。

13.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述树脂薄膜是从聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯 树脂及芳香族聚酰胺树脂构成的组中选择的任意一种。

14.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述源电极及所述漏电极为贵金属。

15.一种图像显示装置,其特征在于,

具备排列有发光元件的显示部和驱动用于该显示部的所述发光元件 的驱动电路层,所述驱动电路层包括权利要求1所述的半导体装置。

16.根据权利要求15所述的图像显示装置,其特征在于,

将权利要求1~14中任一项所述的半导体元件用作进行接通/断开的 开关晶体管。

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