[发明专利]具有用于化学镀镍沉积的种子层的底部凸块金属化结构

权利要求书

1.底部凸块金属化(UBM)结构，包括：

半导体基板，具有形成在其上的钝化层以及多个通过所述钝化层中的开口暴露的最后金属层；

金属种子层，形成在暴露所述最后金属层的每个所述钝化开口上并延伸超出每个所述钝化开口；

所述金属种子层形成在用于电子器件的终钝化层中的非导电材料上，诸如氮化物、氧化物或各种聚合物；

金属化层，由位于所述金属种子层上的化学镀沉积形成。

2.根据权利要求1所述的UBM结构，其中，所述金属种子层在化学镀镍沉积之前沉积，以抑制化学镀镍厚度的与器件有关的变化。

3.根据权利要求1所述的UBM结构，其中，在所述化学镀镍UBM沉积之前沉积所述金属种子层，以密封所述电子器件的所述钝化开口和电接触。

4.根据权利要求1所述的UBM结构，其中，所述金属种子层在所述化学镀镍UBM之前被沉积，以便其尺寸根据预期的凸块应用而制造，并且在热机械性能上被优化，其与所述电子器件的所述钝化开口或电接触的尺寸和形状无关。

5.根据权利要求1所述的UBM结构，其中，沉积金属种子层以使所述化学镀镍能够用在所述器件的晶片上的非常薄的最后金属和脆性结构上。

6.一种底部凸块金属化(UBM)结构，包括：

半导体基板；

至少一个最后金属层，

其中，所述至少一个最后金属层形成在所述半导体基板的至少一部分上；

钝化层，

其中，所述钝化层形成在所述半导体基板的至少一部分上，

其中，所述钝化层包括多个开口，

其中，所述钝化层由非导电材料形成，

其中，所述至少一个最后金属层通过所述多个开口暴露；

金属种子层，

其中，所述金属种子层形成在所述钝化层上并覆盖所述多个开口；

金属化层，

其中，所述金属化层形成在所述金属种子层上，

其中，所述金属化层由化学镀沉积形成。

7.根据权利要求6所述的UBM结构，其中，所述金属种子层在所述化学镀镍沉积之前沉积，以抑制化学镀镍厚度的与器件有关的变化。

8.根据权利要求6所述的UBM结构，其中，所述金属种子层被沉积以在化学镀镍UBM的沉积之前密封所述钝化层中的多个开口以及所述电子器件的电接触。

9.根据权利要求6所述的UBM结构，其中，所述金属种子层在化学镀镍UBM之前被沉积以便其尺寸根据预期的凸块应用而制造，并且在热机械性能上被优化，其与所述电子器件的所述钝化开口或电接触的尺寸和形状无关。

10.根据权利要求6所述的UBM结构，其中，沉积金属种子层以使化学镀镍能够用在所述器件晶片上的非常薄的最后金属和脆性结构上。