[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 200880020528.8 | 申请日： | 2008-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101681971A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 弗拉德斯拉夫·E·鲍格诺夫;马克西姆·A·欧得诺莱多夫 | 申请（专利权）人： | 奥普特冈有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 颜 涛;郑 霞 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种在电绝缘的衬底(4)上生成的LED芯片(1)，所述LED芯 片包括第一传导类型的下部电流分配层(5)、第一电极(2)、垂直层状结 构(5，6，7)，所述第一电极(2)和所述垂直层状结构(5，6，7)被水 平地彼此分离地形成在所述下部电流分配层上，所述垂直层状结构包括活 性层(6)和位于所述活性层上方的第二传导类型的上部电流分配层(8)， 以及在所述上部电流分配层上生成的第二电极(3)，所述第一电极(2) 和所述第二电极(3)的几何形状为指叉型几何形状，且所述第一电极(2) 和所述第二电极(3)的几何形状被调整以在所述第一电极(2)和所述第 二电极(3)之间提供低于所述LED芯片的电流散布长度的水平距离，所 述LED芯片的特征在于
垂直沟槽(9)，其在所述第一电极(2)和所述第二电极(3)之间、 在所述第一电极(2)或所述第二电极(3)的手指状突起的尖端部位处被 形成，所述沟槽延伸穿过包括下部电流分配层(5)的所述LED芯片(1)， 以控制水平电流流动，以便在所述活性层(6)上实现均匀的电流密度。
2.如权利要求1所述的LED芯片(1)，其特征在于附加的垂直沟槽 (11)被形成在所述第一电极(2)和所述第二电极(3)之间，所述附加 的垂直沟槽沿着所述下部电流分配层(5)和所述上部电流分配层(8)中 水平的电流流动方向，延伸穿过包括所述活性层(6)的所述LED芯片(1)， 以增加所述垂直层状结构(5，6，7)的总周长，并且因此提高光从所述 LED芯片中的提取。
3.如权利要求1或2所述的LED芯片(1)，其特征在于所述垂直层 状结构(5，6，7)的侧壁(12)是偏离于垂直方向倾斜的，以促进光从 所述LED芯片(1)中的提取。
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