[发明专利]单模光纤中的弯曲不敏感性有效

专利信息
申请号: 200880020298.5 申请日: 2008-06-13
公开(公告)号: CN101883998A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: J·M·菲尼;P·克里斯腾森 申请(专利权)人: OFS菲特尔有限责任公司
主分类号: G02B6/028 分类号: G02B6/028
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 屠长存
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 单模 光纤 中的 弯曲 不敏 感性
【权利要求书】:

1.一种光纤,包括:

芯区,其具有纵轴,以及

围绕所述芯区的包层区,所述芯区和所述包层区被配置为沿所述轴的方向支持并引导基横模的信号光在所述芯区中的传播,

所述包层区包括:

外包层区;

基座区,其具有比所述外包层区的折射率高且与所述芯区的折射率相当的折射率,

设置在所述芯区与基座区之间的环形内沟槽区,所述内沟槽区具有小于所述外包层区的折射率的折射率,以及

所述基座区被配置为将所述芯区的至少一个其它横模谐振地耦合到所述基座区的至少一个横模。

2.权利要求1的光纤,还包括设置在所述基座区与所述外包层区之间的环形外沟槽区,所述外沟槽区具有小于所述外包层区的折射率的折射率。

3.权利要求1的光纤,其中,所述外包层具有在所述光纤的最长信号波长下低于所述基模的有效折射率的折射率。

4.权利要求3的光纤,其中,所述外包层折射率至少比所述基模的所述有效折射率低约0.001。

5.权利要求1的光纤,其中,所述芯区和所述基座区的折射率在彼此的约0.003以内。

6.权利要求1的光纤,其中,所述芯区与所述内沟槽区之间的折射率的差大于约0.007。

7.权利要求2的光纤,其中,所述芯区与所述沟槽区中的至少一个之间的折射率的差在约0.008~0.020的范围内。

8.权利要求7的光纤,其中,所述芯区与所述内沟槽区之间的折射率的差在约0.010~0.020的范围内。

9.权利要求1的光纤,其中,所述基座区的径向厚度约为1~4μm。

10.权利要求2的光纤,其中,所述外包层区与所述外沟槽区之间的界面位于约17~30μm的半径处。

11.权利要求1的光纤,其中,所述芯区与所述外包层区之间的折射率的差在约0.003~0.006的范围内。

12.权利要求2的光纤,其中,所述内沟槽区和外沟槽区提供近似相同的模限制量。

13.权利要求12的光纤,其中,0.5<[(ntri-nout)ttri]/[(ntro-nout)ttro]<2.0,其中nout是外包层折射率,ntri是内沟槽折射率,ntro是外沟槽折射率,ttri是内沟槽的厚度,ttro是外沟槽的厚度。

14.权利要求1的光纤,其中,所述芯区的宽度和所述芯区的折射率被配置为引导具有在约1300nm的所述光纤的工作波长下约为55~70μm2而在约1550nm范围内的所述光纤的工作波长下约为70~90μm2的模场面积的所述基模。

15.权利要求1的光纤,其中,所述芯区的所述其它横模的有效折射率和所述基座区的所述横模的有效折射率基本上彼此相等。

16.权利要求1的光纤,其中,所述基座区被配置为将所述芯区的高阶横模谐振地耦合到所述基座区的横模。

17.权利要求1的光纤,其中,所述芯区和所述基座区被配置为减少从所述基座区到所述芯区的光能流动。

18.权利要求17的光纤,其中,所述基座区被配置为在所述基座区模中提供损耗。

19.权利要求1的光纤,其中,所述光纤被配置为在一定波长范围上工作,并且其中,所述芯区和所述基座区的所述谐振横模的有效折射率基本上在所述范围内的许多波长下是相等的。

20.权利要求1的光纤,其中,所述基座区被配置为将所述芯区的多个横模谐振地耦合到所述基座区的至少一个横模。

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