[发明专利]深硅刻蚀上掩膜底切的最小化

权利要求书

1.一种在硅层中形成特征的方法，包含：

在该硅层上方形成具有多个掩膜开孔的掩膜；

在该掩膜上方沉积聚合物层，包含：

使包含C₄F₈的无氢沉积气体流入，其中该沉积气体 主要由C₄F₈组成；

从该沉积气体形成等离子体；

用该等离子体沉积聚合物至少20秒；以及

在该至少20秒之后停止沉积该聚合物；

打开沉积的该聚合物层，包含：

使打开气体流入；

从该打开气体形成等离子体，其相对于该多个掩膜 开孔侧面的沉积聚合物选择性地除去该多个掩膜开孔下部的 沉积聚合物；以及

当至少多个掩膜特征中的一些被打开时，停止该打 开；以及

透过该掩膜和沉积的聚合物层刻蚀该硅层，其中该沉积 聚合物被该刻蚀该硅层完全刻蚀掉。

2.如权利要求1所述的方法，其中刻蚀该硅层包含：

使刻蚀气体流入；以及

从该刻蚀气体形成等离子体，其刻蚀该硅层。

3.如权利要求2所述的方法，其中该打开气体不同于该刻蚀气 体。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中沉积该聚合物、打 开该沉积聚合物和刻蚀该硅层是在单一的等离子体处理室中 原地完成的。

5.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中该掩膜是光刻胶掩 膜。

6.如权利要求5所述的方法，其中在该多个掩膜开孔的侧面上该 沉积的聚合物至少为200nm厚。

7.如权利要求6所述的方法，其中在该多个掩膜开孔的侧面上的 至少200nm厚的该沉积的聚合物消除底切。

8.如权利要求1所述的方法，其中沉积该聚合物、打开该沉积聚 合物和刻蚀该硅层是在单一的等离子体处理室中原地完成的。

9.如权利要求1所述的方法，其中该掩膜是光刻胶掩膜。

10.如权利要求1所述的方法，其中在该多个掩膜开孔的侧面上沉 积的聚合物层至少为200nm厚。

11.如权利要求10所述的方法，其中在该多个掩膜开孔的侧面上 的至少200nm厚的该沉积的聚合物消除底切。

12.一种在硅层中形成特征的方法，包含：

在该硅层上方形成具有多个掩膜开孔的掩膜；

将该硅层放入等离子体处理室中；

在该掩膜上方沉积聚合物层，包含：

使主要由C₄F₈组成的无氢沉积气体流入该等离子体 处理室；

从该沉积气体形成等离子体；

用该等离子体沉积聚合物至少20秒以形成至少 200nm厚的层；以及

在该至少20秒之后停止沉积该聚合物；

打开该沉积的聚合物层，包含：

使打开气体流入该等离子体处理室；

从该打开气体形成等离子体，其相对于该多个掩膜 开孔侧面的沉积的聚合物选择性地除去该多个掩膜开孔下部 的沉积的聚合物；以及

当至少多个掩膜特征中的一些被打开时，停止该打 开；以及

透过该掩膜和沉积的聚合物层刻蚀该硅层，包含：

使不同于该打开气体的刻蚀气体流入；以及

从该刻蚀气体形成等离子体，该等离子体刻蚀该硅 层，其中沉积的该聚合物层阻止光刻胶掩膜下的该硅层的底 切，其中该沉积聚合物被该刻蚀该硅层完全刻蚀掉；以及

从该等离子体处理室除去该硅层。

13.如权利要求12所述的方法，其中该掩膜是光刻胶掩膜。

14.如权利要求12-13中任一项所述的方法，进一步包含在该等离 子体处理室中除去该光刻胶掩膜和该沉积的聚合物层。