[发明专利]形成低电阻接触的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

一氮化镓GaN材料层，具有藉由移除一基板而外露的一表面，所述GaN层原本形成于所述基板上；及

一金属接点，与所述外露表面形成接触以电连接于所述GaN层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述金属接点包含Al、AlTi、AlSi、AlCu、AlNi及其合金至少其中一种。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述金属接点包含Sn、Zn、Mg、Hf、W、Ta、Co、Vd、Mo及其合金至少其中一种。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述GaN材料层包含一n-掺杂GaN材料。

5.一种发光二极管LED装置，包含：

一n-掺杂GaN材料层，具有由移除一基板而在所述LED装置制造期间外露的一表面，所述GaN层原本形成于所述基板上；其中，所述n-掺杂GaN层表面与一金属接触，所述金属为一n-电极的一部分；

一p-掺杂GaN层，具有与一金属接触的一刚沉积的GaN表面，所述金属为一p-电极的一部分；及

一多重量子井结构，位于所述n-掺杂GaN层与p-掺杂GaN层之间。

6.如权利要求5所述的LED装置，其中，所述n-电极包含Al、AlTi、AlSi、AlCu、AlNi及其合金至少其中一种。

7.如权利要求5所述的LED装置，其中，所述n-电极包含Sn、Zn、Mg、Hf、W、Ta、Co、Vd、Mo及其合金至少其中一种。

8.一种垂直发光二极管VLED结构的制造方法，包含：

于一载体基板上形成一LED堆迭，所述LED堆迭包含至少一n-掺杂GaN层及至少一p-掺杂GaN层，所述至少一p-掺杂GaN层藉由一多重量子井层而与所述至少一n-掺杂GaN层隔开；

沉积一或更多金属基板层于所述LED堆迭上；

移除所述蓝宝石基板以使所述n-掺杂GaN层的一表面外露；及

形成一金属接点于所述外露的表面上。

9.如权利要求8所述的VLED结构的制造方法，包含利用Al、AlTi、AlSi、AlCu、AlNi及其合金至少其中一种形成所述金属接点。

10.如权利要求8所述的VLED结构的制造方法，包含利用Sn、Zn、Mg、Hf、W、Ta、Co、Vd、Mo及其合金至少其中一种形成所述金属接点。