[发明专利]半导体元件的冷却构造有效

专利信息
申请号: 200880018848.X 申请日: 2008-06-10
公开(公告)号: CN101681898A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 吉田忠史;长田裕司;横井丰;山田靖 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01L23/473 分类号: H01L23/473;H01L25/07;H01L25/18;H02M1/00;H05K7/20
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 柳春雷;南 霆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 元件 冷却 构造
【权利要求书】:

1.一种半导体元件的冷却构造,包括:

多个半导体元件;以及

电极部,在所述电极部的内部具有冷媒流道,并且所述电极部与多个所述半导体元件电连接;

其中,所述电极部包括:第一电极,在所述第一电极的两面上分别安装有所述半导体元件;以及多个第二电极,所述多个第二电极夹持所述第一电极以及分别安装在所述第一电极的两面上的所述半导体元件,

所述第一电极和所述第二电极分别在其内部具有所述冷媒流道,

所述第一和第二电极具有主表面,

所述冷却构造具有在所述主表面的方向上排列多个包括所述第一和第二电极的所述电极部的电极构造,

在所述冷媒流道内流动的冷媒从多个所述电极部所排列的方向流入到所述电极构造内,并在多个所述电极部内流动后从所述多个所述电极部所排列的方向流出。

2.如权利要求1所述的半导体元件的冷却构造,其中,

还包括突出部,所述突出部从所述冷媒流道的壁面向所述冷媒流道的内侧突出,使得在所述冷媒流道内流动的冷媒流朝向所述半导体元件。

3.如权利要求2所述的半导体元件的冷却构造,其中,

所述突出部被设置成位于所述半导体元件的附近,并且在所述冷媒的流动方向上位于比所述半导体元件的中心更靠上游的一侧。

4.如权利要求1所述的半导体元件的冷却构造,其中,

所述半导体元件被包含在控制装置中,所述控制装置对驱动车辆的旋转电机进行控制。

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