[发明专利]制作探针针尖的方法

权利要求书

1.一种用于制作探针针尖的方法，该方法包括：

在硅晶片上形成所述探针针尖的前端；

形成第一保护层，所述第一保护层形成图案以使所述探针针尖的所述前端的一部分曝光；以及

在通过所述第一保护层的图案而露出的一部分中形成所述探针针尖的主体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述前端的步骤包括：

在所述硅晶片的一部分中形成沟；以及

在除形成所述沟之外的其他部分上形成所述探针针尖的所述前端。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述沟的步骤包括：

在所述硅晶片上形成第二保护层，所述第二保护层形成图案以具有与待形成所述沟的区域相对应的开口；

通过将有图案的所述第二保护层用作掩模而蚀刻所述硅晶片，以由此形成所述沟；以及

除去所述第二保护层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述前端的步骤包括：

在所述硅晶片上形成第三保护层，所述第三保护层形成图案以具有与待形成所述探针针尖的所述前端的区域相对应的开口；

在有图案的所述第三保护层的所述开口中形成所述探针针尖的所述前端；

使所述探针针尖的所述前端和所述第三保护层的顶面平坦化；以及

除去所述第三保护层。

5.根据权利要求2所述的方法，该方法还包括，在形成所述沟的步骤之后，在设有所述沟的所述硅晶片的顶面上以及在所述沟的整个底面和侧面上形成晶种层。

6.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括，在形成所述主体的步骤之后，使所述第一保护层和所述探针针尖的所述主体的顶面平坦化， 以及除去除所述探针针尖的所述前端和所述主体之外的所生成的结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一保护层是光致抗蚀剂层。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二保护层是光致抗蚀剂层。

9.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第三保护层是光致抗蚀剂层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述探针针尖的所述前端由Ni或Ni合金制成。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述探针针尖的所述前端由与所述探针针尖的所述主体的材料相同的材料制成。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述探针针尖的所述前端由不同于所述探针针尖的所述主体的材料的材料制成。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，通过生长所述探针针尖的所述前端而形成所述探针针尖的所述主体。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，通过生长所述探针针尖的所述前端而形成所述探针针尖的所述主体。

15.根据权利要求4所述方法，其中，通过化学机械抛光工艺执行平坦化工艺。

16.根据权利要求6所述的方法，其中，通过化学机械抛光工艺执行平坦化工艺。

17.根据权利要求2所述的方法，其中，通过深硅反应离子蚀刻工艺执行形成所述沟的步骤。

18.根据权利要求3所述的方法，其中，通过灰化工艺或湿剥离工艺除去所述第二保护层。

19.根据权利要求4所述的方法，其中，通过灰化工艺或湿剥离工艺除去所述第三保护层。

20.根据权利要求6所述的方法，其中，通过灰化工艺或湿剥离工艺除去所述第一保护层。