[发明专利]基板干燥的装置与方法有效
申请号: | 200880017076.8 | 申请日: | 2008-05-22 |
公开(公告)号: | CN101689491A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 郑英周;李福圭;黄善奎;裴正龙;龙秀彬 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申 健 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 干燥 装置 方法 | ||
1.一种干燥基板的方法,包括:
前阶段,在所述前阶段中,向基板底面喷射热流体以提高该基板的温度, 同时向旋转基板的上表面喷射有机溶剂;
后阶段,在所述后阶段中,停止喷射所述热流体,并向所述基板的上表面 喷射所述有机溶剂,所述后阶段中的基板旋转速度高于所述前阶段中的基板旋 转速度。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述前阶段与所述后阶段期间, 与所述有机溶剂一起喷射干燥气体,以改善所述有机溶剂的汽化能力。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述后阶段期间,所述有机溶剂 从所述基板中心到所述基板边缘只喷射一次。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述前阶段包括:
扫描步骤,在所述扫描步骤中所述有机溶剂的扫描喷射被引导着从所述基 板中心到所述基板边缘、以及从所述基板边缘再到所述基板中心;和
定点步骤,在所述定点步骤中所述有机溶剂在所述基板中心定点喷射,
其中所述热流体仅在所述定点步骤中喷射到所述基板的底面。
5.根据权利要求4所述的方法,还包括:
后阶段,在所述后阶段中,停止喷射所述热流体,并仅向所述基板的上表 面中心喷射有机溶剂。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述后阶段中基板的旋转速度是 1400~1600转/分。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,喷射到所述基扳底面的所述热流体 的温度是60~80℃。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述前阶段中,聚积在管路中的 液体排放一定时间后,再向所述基板底面喷射所述热流体。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述热流体是去离子水(DI water), 所述有机溶剂是异丙醇(IPA)。
10.一种干燥基板的方法,包括:
前阶段,在所述前阶段中,向基板底面喷射热流体以提高该基板的温度, 与此同时向所述基板上表面喷射有机溶剂、并向所述基板上表面喷射干燥气体 以改善所述有机溶剂的汽化能力;和
后阶段,在所述后阶段中,停止喷射所述热流体,向所述基板上表面喷射 所述有机溶剂与所述干燥气体,所述后阶段中基板的旋转速度高于所述前阶段 中基板的旋转速度。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述后阶段中基板的旋转速度是 600~800转/分;并且
其中所述有机溶剂从所述基板中心到所述基板边缘只喷射一次。
12.一种干燥基板的方法,包括:
前阶段,在所述前阶段中,有机溶剂的扫描喷射被引导着从基板中心到基 板边缘、以及从基板边缘再到基板中心之后,向基板底面喷射热流体以提高所 述基板温度,同时向所述基板中心定点喷射所述有机溶剂;和
后阶段,在所述后阶段中停止喷射所述热流体,并仅向所述基板上表面中 心喷射所述有机溶剂,所述后阶段中基板的旋转速度高于所述前阶段中基板的 旋转速度。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述后阶段中基板的旋转速度是 1400~1600转/分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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