[发明专利]SOI芯片的制造方法有效
| 申请号： | 200880016916.9 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101681805A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 横川功;竹野博;能登宣彦 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/223;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 冯志云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 芯片 制造 方法 | ||
1.一种SOI芯片的制造方法，其特征在于至少包含：
准备一由p+单晶硅芯片所构成的基底芯片与一由单晶硅芯片所构成的接合芯片的步骤；该p+单晶硅芯片是在整个芯片中高浓度地含有p型掺杂剂，该接合芯片是含有比前述基底芯片的p型掺杂剂浓度低的掺杂剂；
根据热氧化，在前述基底芯片的整个面上形成硅氧化膜的步骤；
隔着前述基底芯片上的硅氧化膜，将前述接合芯片与前述基底芯片贴合在一起的贴合步骤；以及
将前述接合芯片薄膜化而形成SOI层的步骤；
其中，在前述基底芯片的热氧化步骤之前，具有：在前述基底芯片的贴合面的相反侧的面上，形成CVD绝缘膜的步骤。
2.如权利要求1所述的SOI芯片的制造方法，其中在前述贴合步骤之前，具有：在前述接合芯片的整个面上，形成硅氧化膜的步骤。
3.如权利要求1所述的SOI芯片的制造方法，其中在前述贴合步骤之前，预先将氢离子或稀有气体离子中的至少一种注入前述接合芯片的内部，来形成离子注入层；并且，根据以前述离子注入层为界，将前述接合芯片剥离，来实行前述接合芯片的薄膜化。
4.如权利要求2所述的SOI芯片的制造方法，其中在前述贴合步骤之前，预先将氢离子或稀有气体离子中的至少一种注入前述接合芯片的内部，来形成离子注入层；并且，根据以前述离子注入层为界，将前述接合芯片剥离，来实行前述接合芯片的薄膜化。
5.如权利要求1所述的SOI芯片的制造方法，其中将前述CVD绝缘膜，设为CVD氧化膜、CVD氮化膜或CVD氮氧化膜中的任一种。
6.如权利要求2所述的SOI芯片的制造方法，其中将前述CVD绝缘膜，设为CVD氧化膜、CVD氮化膜或CVD氮氧化膜中的任一种。
7.如权利要求3所述的SOI芯片的制造方法，其中将前述CVD绝缘膜，设为CVD氧化膜、CVD氮化膜或CVD氮氧化膜中的任一种。
8.如权利要求4所述的SOI芯片的制造方法，其中将前述CVD绝缘膜，设为CVD氧化膜、CVD氮化膜或CVD氮氧化膜中的任一种。
9.如权利要求1～8中任一项所述的SOI芯片的制造方法，其中将前述基底芯片的p型掺杂剂浓度，设为5×1017atoms/cm3以上。
10.如权利要求1～8中任一项所述的SOI芯片的制造方法，其中在前述薄膜化步骤后，于前述SOI层上实行外延成长，使前述SOI层的厚度增加。
11.如权利要求9所述的SOI芯片的制造方法，其中在前述薄膜化步骤后，于前述SOI层上实行外延成长，使前述SOI层的厚度增加。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
