[发明专利]用于半导体领域的新型钴前体有效
| 申请号： | 200880016811.3 | 申请日： | 2008-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101680085A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | C·迪萨拉 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C16/40;C23C16/30;C07F15/06;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 领域 新型 钴前体 | ||
1.在一个或多个基底上沉积含钴膜的方法，包括：
a)将钴前体引入装有一个或多个基底的反应室中，其中所述钴前体包 含选自如下的化合物：CoCp(乙烯)2、Co(MeCp)(乙烯)2、Co(EtCp)(乙烯)2、 Co(iPrCp)(乙烯)2、CoCp(丙烯)2、Co(MeCp)(丙烯)2、Co(EtCp)(丙烯)2、 Co(iPrCp)(丙烯)2、CoCp(1-丁烯)2、Co(MeCp)(1-丁烯)2、Co(EtCp)(1-丁 烯)2、Co(iPrCp)(1-丁烯)2、CoCp(2-丁烯)2、Co(MeCp)(2-丁烯)2、Co(EtCp)(2- 丁烯)2、Co(iPrCp)(2-丁烯)2、CoCp(丁二烯)2、Co(MeCp)(丁二烯)2、 Co(EtCp)(丁二烯)2、Co(iPrCp)(丁二烯)2、CoCp(环丁二烯)2、Co(MeCp)(环 丁二烯)2、Co(EtCp)(环丁二烯)2、Co(iPrCp)(环丁二烯)2、CoCp(1，3-环己 二烯)2、Co(MeCp)(1，3-环己二烯)2、Co(EtCp)(1，3-环己二烯)2、 Co(iPrCp)(1，3-环己二烯)2、CoCp(1，4-环己二烯)2、Co(MeCp)(1，4-环己二 烯)2、Co(EtCp)(1，4-环己二烯)2、Co(iPrCp)(1，4-环己二烯)2、CoCp(乙炔)2、 Co(MeCp)(乙炔)2、Co(EtCp)(乙炔)2、Co(iPrCp)(乙炔)2、CoCp(三甲基甲 硅烷基乙炔)2、Co(MeCp)(三甲基甲硅烷基乙炔)2、Co(EtCp)(三甲基甲硅 烷基乙炔)2、Co(iPrCp)(三甲基甲硅烷基乙炔)2、CoCp(双(三甲基甲硅烷基) 乙炔)2、Co(MeCp)(双(三甲基甲硅烷基)乙烯)2、Co(EtCp)(双(三甲基甲硅 烷基)乙炔)2、Co(iPrCp)(双(三甲基甲硅烷基)乙炔)2、Co(2，4-二甲基戊二烯 基)(乙烯)2、Co(2，4-二甲基戊二烯基)(丙烯)2、Co(2，4-二甲基戊二烯基)(1- 丁烯)2、Co(2，4-二甲基戊二烯基)(2-丁烯)2、Co(2，4-二甲基戊二烯基)(丁二 烯)2、Co(2，4-二甲基戊二烯基)(环丁二烯)2、Co(2，4-二甲基戊二烯基)(1，3- 环己二烯)2、Co(2，4-二甲基戊二烯基)(1，4-环己二烯)2、Co(己二烯基)(乙 炔)2、Co(己二烯基)(三甲基甲硅烷基乙炔)2、Co(己二烯基)(双(三甲基甲硅 烷基)乙炔)2、Co(己二烯基)(乙烯)2、Co(己二烯基)(丙烯)2、Co(己二烯基)(1- 丁烯)2、Co(己二烯基)(2-丁烯)2、Co(己二烯基)(丁二烯)2、Co(己二烯基)(环 丁二烯)2、Co(己二烯基)(1，3-环己二烯)2、Co(己二烯基)(1，4-环己二烯)2、 Co(己二烯基)(乙炔)2、Co(己二烯基)(三甲基甲硅烷基乙炔)2、Co(己二烯 基)(双(三甲基甲硅烷基)乙炔)2、及其混合物；和
b)使钴前体沉积，以在一个或多个基底上形成含钴膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，未经乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880016811.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
