[发明专利]图案形成方法、由此形成的图案或模具有效

专利信息
申请号: 200880016608.6 申请日: 2008-05-22
公开(公告)号: CN101681095A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 寺崎敦则;关淳一 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;B29C59/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 魏小薇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 图案 形成 方法 由此 模具
【权利要求书】:

1.一种图案形成方法,包括:

在设置在第二材料的薄膜上的转移层上形成抗蚀剂的图案的步 骤,所述薄膜被设置在第一材料的基材的表面上;

在所述抗蚀剂的图案上形成第三材料的第一反转层的步骤;

通过在去除所述第一反转层以露出所述抗蚀剂的表面之后去除 所述抗蚀剂、形成与所述抗蚀剂的图案互补的第一反转层的第一反转 图案的步骤;

通过使用第一反转图案作为掩模蚀刻所述转移层、形成包含所述 转移层和在所述转移层上形成的第一反转图案的第二反转图案的步 骤;

在第二反转图案上形成第三材料的第二反转层的步骤;

通过在去除第二反转层和第一反转图案以露出所述转移层的表 面之后去除所述转移层、形成与第一反转图案互补的第二反转层的第 三反转图案的步骤;

通过使用第三反转图案作为掩模蚀刻所述薄膜、形成包含其上形 成有第三反转图案的所述薄膜的硬掩模层的步骤;和

使用其上保留第三反转图案的硬掩模层或其上已去除第三反转 图案的硬掩模层作为掩模蚀刻所述基材的步骤,

其中,所述第一反转层和第二反转层由对等离子体的抵抗力比所 述抗蚀剂高的材料形成。

2.根据权利要求1的方法,其中,在所述蚀刻所述基材的步骤 中,硬掩模层被用作掩模的区域以外的面积小于所述基材的整个表面 的面积的50%。

3.根据权利要求1的方法,其中,所述图案形成方法还包括: 在形成第一反转层的所述步骤之后使第一反转层平坦化的步骤。

4.根据权利要求1的方法,其中,所述图案形成方法还包括: 在形成第二反转层的所述步骤之后使第二反转层平坦化的步骤。

5.根据权利要求1的方法,其中,第一材料是氧化硅,第二材 料是铬,以及第三材料是包含氧化硅的旋涂玻璃。

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