[发明专利]图案形成方法、由此形成的图案或模具有效
| 申请号: | 200880016608.6 | 申请日: | 2008-05-22 |
| 公开(公告)号: | CN101681095A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
| 发明(设计)人: | 寺崎敦则;关淳一 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;B29C59/02 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 魏小薇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图案 形成 方法 由此 模具 | ||
1.一种图案形成方法,包括:
在设置在第二材料的薄膜上的转移层上形成抗蚀剂的图案的步 骤,所述薄膜被设置在第一材料的基材的表面上;
在所述抗蚀剂的图案上形成第三材料的第一反转层的步骤;
通过在去除所述第一反转层以露出所述抗蚀剂的表面之后去除 所述抗蚀剂、形成与所述抗蚀剂的图案互补的第一反转层的第一反转 图案的步骤;
通过使用第一反转图案作为掩模蚀刻所述转移层、形成包含所述 转移层和在所述转移层上形成的第一反转图案的第二反转图案的步 骤;
在第二反转图案上形成第三材料的第二反转层的步骤;
通过在去除第二反转层和第一反转图案以露出所述转移层的表 面之后去除所述转移层、形成与第一反转图案互补的第二反转层的第 三反转图案的步骤;
通过使用第三反转图案作为掩模蚀刻所述薄膜、形成包含其上形 成有第三反转图案的所述薄膜的硬掩模层的步骤;和
使用其上保留第三反转图案的硬掩模层或其上已去除第三反转 图案的硬掩模层作为掩模蚀刻所述基材的步骤,
其中,所述第一反转层和第二反转层由对等离子体的抵抗力比所 述抗蚀剂高的材料形成。
2.根据权利要求1的方法,其中,在所述蚀刻所述基材的步骤 中,硬掩模层被用作掩模的区域以外的面积小于所述基材的整个表面 的面积的50%。
3.根据权利要求1的方法,其中,所述图案形成方法还包括: 在形成第一反转层的所述步骤之后使第一反转层平坦化的步骤。
4.根据权利要求1的方法,其中,所述图案形成方法还包括: 在形成第二反转层的所述步骤之后使第二反转层平坦化的步骤。
5.根据权利要求1的方法,其中,第一材料是氧化硅,第二材 料是铬,以及第三材料是包含氧化硅的旋涂玻璃。
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