[发明专利]具有改进光输出的电致发光器件有效
| 申请号: | 200880015512.8 | 申请日: | 2008-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN101682001A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
| 发明(设计)人: | 谭元昇;D·R·普瑞斯;G·法卢吉亚;R·A·基索;T·R·古许曼 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 赵苏林;韦欣华 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 改进 输出 电致发光 器件 | ||
1.一种OLED器件,依次包括:
具有第一表面和第二表面的透明基板;
与所述基板第一或第二表面直接接触的光提取增强结构;
透明电极层,所述透明电极层与所述基板第一表面直接接触,或者与位于所述基板第一表面的光提取增强结构直接接触;
与所述透明电极层直接接触的短路减少层,其中所述短路减少层是具有全厚度电阻率为10-9~102Ω·cm2的透明薄膜;
置于所述短路减少层上的有机发光元件,包括至少一层发光层和置于所述发光层上的电荷注入层;
置于所述电荷注入层上的反射电极层,其中反射电极层包括Ag或含Ag超过80%的Ag合金;以及
总器件尺寸比所述基板厚度大10倍以上。
2.权利要求1的OLED器件,其中所述短路减少层包括选自氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化钼、氧化钒、氧化锑、氧化铋、氧化铼、氧化钽、氧化钨、氧化铌或氧化镍的材料。
3.权利要求1的OLED器件,其中所述短路减少层包括至少两种选自氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化钼、氧化钒、氧化锑、氧化铋、氧化铼、氧化钽、氧化钨、氧化铌或氧化镍的材料的混合物。
4.权利要求1的OLED器件,其中所述短路减少层包括电绝缘氧化物、氟化物、氮化物、或硫化物材料与至少一种选自氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化钼、氧化钒、氧化锑、氧化铋、氧化铼、氧化钽、氧化钨、氧化铌或氧化镍的材料的混合物。
5.权利要求1的OLED器件,其中所述短路减少层包括硫化锌与氧化铟锡,氧化铟或氧化锡的混合物。
6.权利要求1的OLED器件,其中所述反射电极是阴极,且所述电荷注入层是电子注入层。
7.权利要求1的OLED器件,其中所述反射电极是阳极,且所述 电荷注入层是空穴注入层。
8.权利要求1的OLED器件,其中所述光提取增强结构是散射层。
9.权利要求8的OLED器件,其中所述散射层包括分散在基质中的颗粒或孔,其中该基板具有不同于颗粒或孔的光学指数。
10.权利要求8的OLED器件,其中所述散射层在单独的支撑上然后再层压到基板上。
11.权利要求8的OLED器件,其中所述散射层包括一个在基板表面的高光学指数颗粒的涂层,并且颗粒之间具有孔。
12.权利要求11的OLED器件,其中所述高光学指数颗粒选自包括氧化钛、氧化锆、氧化铌、氧化钽、氧化锌、氧化锡和硫化锌的无机材料。
13.权利要求11的OLED器件,其中所述高光学指数颗粒为无规形状,且最大线性延伸在300nm到2000nm之间。
14.权利要求1的OLED器件,其中所述OLED器件包括一个或多个串行连接的部分。
15.权利要求1的OLED器件,其中所述OLED器件具有堆叠结构。
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