[发明专利]具有改进光输出的电致发光器件有效

专利信息
申请号: 200880015512.8 申请日: 2008-02-20
公开(公告)号: CN101682001A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 谭元昇;D·R·普瑞斯;G·法卢吉亚;R·A·基索;T·R·古许曼 申请(专利权)人: 伊斯曼柯达公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 赵苏林;韦欣华
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 改进 输出 电致发光 器件
【权利要求书】:

1.一种OLED器件,依次包括:

具有第一表面和第二表面的透明基板;

与所述基板第一或第二表面直接接触的光提取增强结构;

透明电极层,所述透明电极层与所述基板第一表面直接接触,或者与位于所述基板第一表面的光提取增强结构直接接触;

与所述透明电极层直接接触的短路减少层,其中所述短路减少层是具有全厚度电阻率为10-9~102Ω·cm2的透明薄膜;

置于所述短路减少层上的有机发光元件,包括至少一层发光层和置于所述发光层上的电荷注入层;

置于所述电荷注入层上的反射电极层,其中反射电极层包括Ag或含Ag超过80%的Ag合金;以及

总器件尺寸比所述基板厚度大10倍以上。

2.权利要求1的OLED器件,其中所述短路减少层包括选自氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化钼、氧化钒、氧化锑、氧化铋、氧化铼、氧化钽、氧化钨、氧化铌或氧化镍的材料。

3.权利要求1的OLED器件,其中所述短路减少层包括至少两种选自氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化钼、氧化钒、氧化锑、氧化铋、氧化铼、氧化钽、氧化钨、氧化铌或氧化镍的材料的混合物。

4.权利要求1的OLED器件,其中所述短路减少层包括电绝缘氧化物、氟化物、氮化物、或硫化物材料与至少一种选自氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化钼、氧化钒、氧化锑、氧化铋、氧化铼、氧化钽、氧化钨、氧化铌或氧化镍的材料的混合物。

5.权利要求1的OLED器件,其中所述短路减少层包括硫化锌与氧化铟锡,氧化铟或氧化锡的混合物。

6.权利要求1的OLED器件,其中所述反射电极是阴极,且所述电荷注入层是电子注入层。

7.权利要求1的OLED器件,其中所述反射电极是阳极,且所述 电荷注入层是空穴注入层。

8.权利要求1的OLED器件,其中所述光提取增强结构是散射层。

9.权利要求8的OLED器件,其中所述散射层包括分散在基质中的颗粒或孔,其中该基板具有不同于颗粒或孔的光学指数。

10.权利要求8的OLED器件,其中所述散射层在单独的支撑上然后再层压到基板上。

11.权利要求8的OLED器件,其中所述散射层包括一个在基板表面的高光学指数颗粒的涂层,并且颗粒之间具有孔。

12.权利要求11的OLED器件,其中所述高光学指数颗粒选自包括氧化钛、氧化锆、氧化铌、氧化钽、氧化锌、氧化锡和硫化锌的无机材料。

13.权利要求11的OLED器件,其中所述高光学指数颗粒为无规形状,且最大线性延伸在300nm到2000nm之间。

14.权利要求1的OLED器件,其中所述OLED器件包括一个或多个串行连接的部分。

15.权利要求1的OLED器件,其中所述OLED器件具有堆叠结构。 

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