[发明专利]形成浅接合的技术

权利要求书

1.一种形成浅接合的方法，包括：

生成包括分子离子的离子束，所述分子离子基于由氮化锗以及GeF_n所构成群族中选出的一种或多种物质，其中n＝1、2或3；以及

使所述离子束冲击半导体晶片。

2.根据权利要求1所述的形成浅接合的方法，其中所述离子束的 冲击在掺杂剂被离子注入至所述半导体晶片内之前非晶化所述半导体 晶片的至少一部份。

3.根据权利要求1所述的形成浅接合的方法，还包括：

在所述半导体晶片上执行第一离子注入，以将掺杂剂置入至所述半 导体晶片内；以及

在所述半导体晶片上执行第二离子注入，以将一或多个共同注入物 质置放于所述半导体晶片中，利用所述分子离子来注入所述一或多个共 同注入物质，所述分子离子基于由CF、CF₂、Z_nC_xF_y以及C_xH_yZ_n所构成的 群族中选出的一种或多种物质，其中Z表示除了碳或氢之外的一或多个 原子物质；x、y和n各为正整数。

4.根据权利要求1所述的形成浅接合的方法，还包括：

在所述半导体晶片上执行第一离子注入，以将一或多个共同注入物 质置放于所述半导体晶片中，利用所述分子离子来注入所述一或多个共 同注入物质，所述分子离子基于由CF、CF₂、Z_nC_xF_y以及C_xH_yZ_n所构成群 族中选出的一种或多种物质，其中Z表示除了碳或氢之外的一或多个原 子物质，x、y和n各为正整数；以及

在所述半导体晶片上执行第二离子注入，以将掺杂剂置入至所述半 导体晶片内。

5.根据权利要求1所述的形成浅接合的方法，还包括在所述半导 体晶片上执行离子注入，以将掺杂剂置入至所述半导体晶片内，其中至 少在所述离子注入开始时，所述半导体晶片的温度低于室温。

6.根据权利要求5所述的形成浅接合的方法，其中所述半导体晶 片的所述温度低于摄氏零度。

7.根据权利要求5所述的形成浅接合的方法，其中在进行所述离 子注入之前，预冷所述半导体晶片的所述温度至低于室温。

8.根据权利要求5所述的形成浅接合的方法，其中在所述离子注 入的至少一部份期间将所述半导体晶片维持在低于室温。

9.根据权利要求1所述的形成浅接合的方法，其中在所述离子束 的冲击期间，所述半导体晶片在低于室温的温度范围。

10.一种形成浅接合的方法，包括：

生成包括分子离子的离子束，所述分子离子基于Z_nC_xF_y，其中Z表 示除了碳或氢之外的一或多个原子物质，x、y和n各为正整数；以及

使所述离子束冲击半导体晶片。

11.根据权利要求10所述的形成浅接合的方法，其中所述离子束 的冲击在掺杂剂被离子注入至所述半导体晶片内之前非晶化所述半导 体晶片的至少一部份。

12.根据权利要求11所述的形成浅接合的方法，其中所述离子束 的冲击还使由碳和氟所构成的群族中选出的一或多个共同注入物质置 放于所述半导体晶片中的一或多个预定部位中。

13.根据权利要求11所述的形成浅接合的方法，还包括在所述半 导体晶片上执行低温离子注入，以将所述掺杂剂置入至所述半导体晶片 的非晶化部份内。

14.根据权利要求10所述的形成浅接合的方法，其中所述离子束 的冲击使一或多个共同注入物质置放于所述半导体晶片内。

15.根据权利要求14所述的形成浅接合的方法，其中所述一或多 个共同注入物质是由碳和氟所构成的群族中选出的。