[发明专利]用于对模拟集成电路进行断电的方法及设备

权利要求书

1.一种集成电路，其包含：

低电压电源，其适合于提供低电压电位；

高电压电源，其适合于提供高于所述低电压电位的高电压电位；

接地电压电源，其适合于提供低于所述低电压电位的接地电压电位；

数字电路，其经电耦合以接收所述低电压电位及所述接地电压电位；

模拟电路，其经电耦合以接收所述高电压电位及所述接地电压电位；

断电电路，其电耦合到所述模拟电路且适合于响应于接收到断电信号而对所述模拟电路进行断电；以及

节点保护电路，其电耦合到所述模拟电路且适合于在不通过所述断电电路来确定所述模拟电路中的至少一个预定节点处的电压电位时响应于接收到所述断电信号而向所述至少一个预定节点提供低电压电位。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述数字电路进一步包含反相器。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包含：

反相器，其适合于接收所述断电信号且适合于使所述断电信号反相以提供经反相断电信号。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述断电电路或所述节点保护电路响应于所述断电信号及所述经反相断电信号中的一者而操作。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述断电电路进一步包含：

至少一个断电晶体管。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述至少一个断电晶体管适合于控制所述模拟电路中所述高电压电位与所述接地电压电位之间的至少一个电流路径中的电流流动。

7.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述至少一个断电晶体管进一步包含p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述节点保护电路进一步包含：

至少一个电压保护晶体管。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述至少一个电压保护晶体管进一步包含：

n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述数字电路及所述模拟电路进一步包含：

单薄栅极氧化物厚度。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述高电压电位具有约两倍于所述低电压电位的所述电压电位。

12.一种用于对模拟电路进行断电的设备，所述模拟电路经耦合以接收高电压电位及接地电压电位，所述设备包含：

断电电路，其电耦合到所述模拟电路且适合于响应于接收到断电信号而对所述模拟电路进行断电；以及

节点保护电路，其电耦合到所述模拟电路且适合于在不通过所述断电电路来确定所述模拟电路中的至少一个预定节点处的电压电位时响应于接收到所述断电信号而向所述至少一个预定节点提供预定电压电位。

13.根据权利要求12所述的设备，其进一步包含：

低电压电源，其适合于提供低电压电位；

高电压电源，其适合于提供高于所述低电压电位的所述高电压电位；以及

接地电压电源，其适合于提供低于所述低电压电位的所述接地电压电位。

14.根据权利要求12所述的设备，其中所述断电电路适合于控制所述模拟电路中高电压电位与接地电压电位之间的至少一个电流路径中的电流流动。

15.根据权利要求12所述的设备，其中所述高电压电位具有约两倍于所述低电压电位的所述电压电位。

16.一种用于对模拟电路进行断电的方法，其包含：

接收表示用以对所述模拟电路进行断电的命令的断电信号；

响应于接收到所述断电信号而对所述模拟电路进行断电；以及

在不通过对所述模拟电路进行断电来确定所述模拟电路中的至少一个预定节点处的电压电位时，响应于接收到所述断电信号而向所述至少一个预定节点提供预定电压电位。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述对所述模拟电路进行断电进一步包含：

断开所述模拟电路中的电流路径。