[发明专利]提供有改进的电极层的透明基底无效
| 申请号: | 200880014796.9 | 申请日: | 2008-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN101681937A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
| 发明(设计)人: | G·考尼尔;M·夏沃尼;F·阿博特 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
| 主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 段家荣;林 森 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 提供 改进 电极 透明 基底 | ||
1.具有玻璃功能的基底(1),其与含有至少一个基于一种或多种金 属氧化物的透明导电层(3)的织构化电极相连接,所述层被至少一个能够 收集光的元件的功能层(4)覆盖,其特征在于:基底(1)用具有织构部分的 界面层(2)覆盖,所述织构部分具有周期性或非周期性的突起状构件的重 复。
2.如权利要求1所述的基底,其特征在于:界面层(2)位于基底(1) 的背面并具有包含周期性或非周期性突起状构件的重复的织构部分,其 步长w和高度h满足下列关系:w≤λ,优选w≤λ/2且更优选w≤λ/4且 h≥λ/4,优选h≥λ且更优选h≥2λ,其中λ属于太阳光谱且位于太阳能电 池的能量转化效率最大值处。
3.如权利要求1所述的基底,其特征在于:界面层(2)位于基底(1) 的背面并具有包含周期性或非周期性突起状构件的重复的织构部分,其 步长w和高度h满足下面的关系:λ/4≤w≤2λ;且h为20nm-1μm,优选 30nm-500nm且更优选h为50nm-200nm,其中λ位于这样的波长位置, 在该波长中太阳光谱是重要的但电池的转化率不是其最佳的。
4.如在前面权利要求任一项所述的基底,其特征在于:导电层(3) 沉积在界面层(2)上。
5.如权利要求1所述的基底,其特征在于:界面层(2)位于基底(1) 的前面并具有包含周期性或非周期性突起状构件的重复的织构部分,其 步长w和高度h满足下面的关系:λ/4≤w≤2λ;且h为20nm-1μm,优选 30nm-500nm且更优选h为50nm-200nm,其中λ位于这样的波长位置, 在该波长中太阳光谱是重要的但电池的转化率不是其最佳的。
6.如在前面权利要求任一项所述的基底,其特征在于:导电层(3) 相对于界面层(2)是共形的。
7.如权利要求1-5任一项所述的基底,其特征在于:导电层(3)具有 与界面层的粗糙度不同的粗糙度。
8.如权利要求1-4任一项所述的基底,其特征在于:界面层(2)具有 与基底的折射指数接近的折射指数。
9.如权利要求5所述的基底,其特征在于:界面层(2)具有的折射 指数n≤n基底。
10.如权利要求1-4任一项所述的基底,其特征在于:如果界面层 (2)被置于基底和导电层之间,该界面层具有的折射指数n使得n基底≤n≤nTCO。
11.如在前面权利要求任一项所述的基底,其特征在于:突起状构 件包含平行线。
12.如权利要求1-10任一项所述的基底,其特征在于:突起状构件 含有非平行线和/或块。
13.如在前面权利要求任一项所述的基底,其特征在于:其与太阳 能模块连接,使织构化表面朝向太阳能模块的活性材料。
14.如在前面权利要求任一项所述的基底,其特征在于:界面层(2) 位于基底(1)的背面并具有包含周期性或非周期性的构件的重复的织构 部分,其步长w基本接近300nm,由此其具有对于第一波长范围的减反 射和对于第二波长范围的光俘获的组合作用。
15.用于制造如权利要求1-14任一项所述的基底的方法,其特征在 于:织构表面通过压花溶胶-凝胶或聚合物层而获得。
16.用于制造如权利要求1-14任一项所述的基底的方法,其特征在 于:织构表面通过光刻技术获得。
17.如权利要求1-14任一项所述的基底用于太阳能电池的用途。
18.太阳能电池,其特征在于:其含有如权利要求1-14任一项所述 的基底。
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