[发明专利]金属硅的精制方法和硅块的制造方法有效
| 申请号： | 200880014009.0 | 申请日： | 2008-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101668701A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 神山游马;本田和义;筱川泰治;八木弘雅;柳智文;别所邦彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C23C14/14;C23C14/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属硅 精制 方法 制造 | ||
1.一种金属硅的精制方法，其包含下述步骤：
准备金属硅的步骤，该金属硅含有1000ppm～10000ppm的重量比的铝； 和
在压力为100Pa～1000Pa的惰性气氛中将所述金属硅加热到1500℃～ 1600℃的温度并保持的步骤；
其中，将所述金属硅维持在所述温度，直到含有的铝的重量比达到 100ppm～500ppm。
2.根据权利要求1中所述的金属硅的精制方法，其中，用感应加热法 加热所述金属硅。
3.根据权利要求1中所述的金属硅的精制方法，其中，所述金属硅含 有1000ppm～2000ppm的重量比的铝。
4.根据权利要求1中所述的金属硅的精制方法，其中，在对硅为非氧 化性的容器中保持所述金属硅并加热所述金属硅。
5.根据权利要求4中所述的金属硅的精制方法，其中，所述容器是由 石墨、碳化硅、氮化硅中的任何一种形成的坩埚。
6.根据权利要求1中所述的金属硅的精制方法，其中，在用惰性气体 置换所述金属硅的周围并将所述惰性气体的气氛减压后，加热所述金属硅。
7.根据权利要求1中所述的金属硅的精制方法，其中，在压力为 100Pa～760Pa的惰性气氛中加热所述金属硅。
8.一种硅块的制造方法，其包含下述步骤：
准备金属硅的步骤，该金属硅含有1000ppm～10000ppm的重量比的铝；
在压力为100Pa～1000Pa的惰性气氛中将所述金属硅加热到1500℃～ 1600℃的温度并保持的步骤；和
将所述被加热、保持的金属硅冷却而形成硅块的步骤。
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