[发明专利]具有阳极氧化金属的发光设备有效
申请号: | 200880013805.2 | 申请日: | 2008-04-21 |
公开(公告)号: | CN101669228A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | H·利夫卡;C·A·H·A·穆特萨尔斯;E·W·A·扬 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 谢建云;谭祐祥 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 阳极 氧化 金属 发光 设备 | ||
1.一种有机发光设备(100),该有机发光设备包括衬底(101)、 第一导电层(102)、发光层(103)以及第二导电层(104),所述发 光设备(100)进一步包括与所述第一导电层(102)电接触的第一金 属分流器(105),其特征在于所述第一金属分流器(105)至少通过 介电氧化层(106)与所述第二导电层(104)相隔离;所述设备还包 括第二金属分流器(304),其中所述第二金属分流器(304)与所述 第二导电层(104)电接触,以及所述第二金属分流器(304)布置在 所述第一金属分流器(303)的上面。
2.根据权利要求1所述的有机发光设备(100),其中所述第一 金属分流器(105)包括被所述介电氧化层(106)覆盖的第一金属层 (107)。
3.根据权利要求2所述的有机发光设备(100),其中所述介电 氧化层(106)是由所述第一金属分流器(105)的所述第一金属层(107) 形成的氧化层。
4.根据任何一个先前权利要求所述的有机发光设备(100),其 中所述介电氧化层(106)是通过对所述第一金属分流器(105)的所 述第一金属层(107)进行阳极氧化而形成的。
5.根据权利要求1-3中任一个所述的有机发光设备(100),其 中所述第一金属分流器(105)的所述第一金属层(107)是从包括铝、 锆、钛以及镓的组中选择出来的。
6.根据权利要求1-3中任一个所述的有机发光设备(100),其 中所述第一金属分流器(105)进一步包括至少一个附加金属层(108), 该附加金属层(108)被布置为提高所述第一导电层(102)与所述第 一金属分流器(105)之间的电接触,其中所述附加金属层(108)是 从包括钼、铝、铬、氮化钛、铜、银、金、钨、锆、钛、铪、或者其 组合或合金的组中选择出来的。
7.根据权利要求6所述的有机发光设备(300),其中所述附加 金属层(108,508)使用蚀刻方法制成,该蚀刻方法利用所述介电氧 化层(106,506)作为掩模。
8.根据权利要求1-3中任一个所述的有机发光设备(300),其 中所述第一金属分流器(303)通过所述介电氧化层与所述第二金属分 流器(304)相分离。
9.根据权利要求8所述的有机发光设备(300),其中所述介电 氧化层是从包括SiO2、Si3N4、Al2O3的组中选择出来的。
10.一种用于制造有机发光设备(100)的方法,该方法包括:
a、提供衬底(101);
b、将第一导电层(102)布置在所述衬底(101)上;
c、将第一金属层(107)布置在所述衬底(101)或所述第一导电 层(102)上;
d、对所述第一金属层(107)进行图案化以形成至少一个金属分 流器(105);
e、在所述金属分流器(105)的第一金属层(107)上形成介电氧 化层(106);
f、将发光层(103)布置在所述第一导电层(102)上;以及
g、将第二导电层(104)布置在所述发光层(103)上,
所述方法还包括步骤:在步骤c之前,将至少一个附加金属层(108) 布置在所述衬底(101)或所述第一导电层(102)上,并且还包括步 骤:通过利用在步骤e中形成的介电氧化层(108)作为用于对所述附 加金属层(107)进行蚀刻的掩模来对所述附加金属层(107)进行图 案化。
11.根据权利要求10所述的方法,其中在所述步骤e中形成的所 述介电氧化层(106)是通过对所述至少一个金属分流器(105)的所 述第一金属层(107)进行阳极氧化形成的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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