[发明专利]尤其用于制备有机单烷氧基(或单羟基)硅烷的借助有机金属化合物处理烷氧基硅烷的方法无效
申请号: | 200880012583.2 | 申请日: | 2008-03-05 |
公开(公告)号: | CN101687894A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | T·维达尔 | 申请(专利权)人: | 罗地亚管理公司 |
主分类号: | C07F7/18 | 分类号: | C07F7/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张力更 |
地址: | 法国欧*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 尤其 用于 制备 有机 单烷氧基 羟基 硅烷 借助 金属 化合物 处理 烷氧基 方法 | ||
技术领域
本发明涉及用于用除烷氧基以外的基团取代由烷氧基硅烷所携带的烷氧基官能团的处理,所述除烷氧基以外的基团例如为烷基基团(特别是甲基)或官能基团如卤代烷基(特别是丙基)基团。该处理借助于任选卤化的有机金属化合物实现。
背景技术
对于官能化(特别是卤化或烯基化)的有机单烷氧基(或单羟基)硅烷的某些合成方法,以及这些有机单烷氧基(或单羟基)硅烷在被除卤素或烯基以外的基团(例如胺基团、硫醇基团或多硫化物基团)官能化的有机单烷氧基(或单羟基)硅烷的生产中作为有机化学合成中间体的用途来说,这种取代是关键。本发明还涉及含有这种有机化学合成中间体的组合物。
本发明的技术问题涉及烷氧基硅烷被除烷氧基以外的基团取代的反应产生妨碍性的副产物这一事实,所述副产物即任选卤化的金属醇盐(alcoxylates)。这些副产物的妨碍性是因为它们可对所期望获得的取代的烷氧基硅烷具有侵蚀性或致变质性。此外,正是这些副产物可使目标产物的分离和收集复杂化。最后,它们可能会是不能再利用的废料并且在环境方面难以处理。
在官能化(特别是卤化或烯基化)有机单烷氧基(或单羟基)硅烷的制备这一具体领域中,本发明所基于的另一技术问题是寻找官能化有机单烷氧基(或单羟基)硅烷的已知合成技术的替代方案,该方案能够使得例如在(上述类型的)妨碍性副产物的中和、收率、生产率、成本以及环境友好方面得到改善。
专利申请WO-A-03/027125记载了尤其能用作合成中间体的官能化(特别是卤化)有机单烷氧基硅烷的获得方法。该方法在于使卤化的有机三烷氧基硅烷与卤化的有机镁化合物反应,以得到所寻求的卤化的有机单烷氧基硅烷和卤代的有机镁盐,反应式(Ra)如下:
其中,例如:
●符号R1是乙基,
●B是式-(CH2)3-的二价残基,
●符号Hal表示氯原子,
●符号R2,相同或不同,各自表示基团-CH3,
●符号M表示镁。
对于例如R1=CH3CH2-,R2=CH3-,Hal=Cl,B=CH2-CH2-CH2,这得到以下反应路线图(Ra.1):
(Ra.1)
步骤1
步骤2
因而最终得到:
在这些反应路线图中,Me和Et分别表示CH3-和CH3CH2-。
化合物二甲基乙氧基氯丙基硅烷(I)是目标中间体化合物。因而,如果希望优化收率,反应应当停在该阶段。此外,如以上所述,通过烷基镁与烷氧基硅烷的反应合成有机单烷氧基硅烷时产生的镁的乙醇盐是不期望的副产物。这是可劣化所形成的硅烷的碱性盐,在这种情 况下所述形成的硅烷是上述反应Ra&Ra.1中作为目标的化合物二甲基乙氧基氯丙基硅烷(I)。
发明内容
本发明的一个目的是提供用于借助至少一种有机金属化合物由除烷氧基以外的基团对烷氧基硅烷的烷氧基官能团进行取代的处理的新方法,其中存在金属醇盐类型的不期望的副产物的问题将得到解决。
本发明的另一目的是提供尤其可用作有机化学合成中间体的官能化,特别是卤化(例如二甲基乙氧基氯丙基硅烷)或烯基化(例如二甲基乙氧基烯丙基硅烷)的有机单烷氧基(或单羟基)硅烷的合成方法的替代方案,它能够使得例如在妨碍性副产物的中和、收率、生产率、成本、环境相容性和/或所使用的消耗性反应物的可得性方面得到改善。
本发明的另一目的是提出能够与亲核试剂反应以产生官能化(例如被胺基团、硫醇基团或多硫化物基团官能化)的有机单烷氧基(或单羟基)硅烷的官能化(特别是卤化或烯基化)有机单烷氧基(或单羟基)硅烷的制备方法。
本发明的另一目的是提出通过该方法得到的化合物作为合成官能化(例如被胺基团、硫醇基团或多硫化物基团官能化)的有机单烷氧基(或单羟基)硅烷的中间体的用途。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗地亚管理公司,未经罗地亚管理公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880012583.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。