[发明专利]具有减小的触发电压的堆叠式静电放电保护电路

权利要求书

1.一种堆叠式静电放电保护电路，其包含：

第一电压供应节点；

第一NFET，其具有漏极、栅极、源极和主体，其中所述主体耦合到所述源极，其 中所述第一NFET的所述漏极耦合到所述第一电压供应节点；

第一电阻器，其具有第一引线和第二引线，其中所述第一电阻器的所述第一引线 耦合到所述第一NFET的所述栅极，且其中所述第一电阻器的所述第二引线耦合到所 述第一NFET的所述源极；

第二NFET，其具有漏极、栅极、源极和主体，其中所述主体耦合到所述源极，且 所述第二NFET的所述漏极连接到所述第一NFET的所述源极；

第二电阻器，其具有第一引线和第二引线，其中所述第二电阻器的所述第一引线 耦合到所述第二NFET的所述栅极，且其中所述第二电阻器的所述第二引线耦合到所 述第二NFET的所述源极；以及

第一电容结构，其具有第一引线和第二引线，其中所述第一电容结构取自由以下 各项组成的群组：二极管、金属-绝缘体-金属电容器(MIMCAP)、场绝缘体电容 器、栅极-绝缘体-半导体电容器，其中所述第一电容结构的所述第一引线耦合到所 述第一电压供应节点，其中所述第一电容结构经耦合以供应在ESD事件期间流经所 述第二电阻器的电流。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电容结构的所述第二引线耦合到所述第二 电阻器的所述第一引线。

3.根据权利要求1所述的电路，其进一步包含：

第二电压供应节点，其中在所述ESD事件期间，电流在从所述第一电压供应节点、 穿过所述第一NFET、穿过所述第二NFET并到达所述第二电压供应节点的电流路径 中流动。

4.根据权利要求3所述的电路，其进一步包含：

第三NFET，其具有漏极、栅极、源极和主体，其中所述主体耦合到所述源极； 第三电阻器，其具有第一引线和第二引线，其中所述第三电阻器的所述第一引线 耦合到所述第三NFET的所述栅极，且其中所述第三电阻器的所述第二引线耦合到所 述第三NFET的所述源极；以及

第二电容结构，其具有第一引线和第二引线，其中所述第二电容结构取自由以下 各项组成的群组：二极管、金属-绝缘体-金属电容器(MIMCAP)、场绝缘体电容 器、栅极-绝缘体-半导体电容器，其中所述第二电容结构的所述第一引线耦合到所 述第一电压供应节点，其中所述第二电容结构的所述第二引线耦合到所述第三电阻 器的所述第一引线。

5.根据权利要求1所述的电路，其进一步包含：

第一N阱；

第一P阱，其延伸到所述第一N阱中，其中所述第一NFET的所述主体是所述第一P 阱的一部分；

第二N阱；以及

第二P阱，其延伸到所述第二N阱中，其中所述第二NFET的所述主体是所述第二P 阱的一部分。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一N阱耦合到所述第一NFET的所述源极， 且其中所述第二N阱耦合到所述第二NFET的所述源极。

7.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一N阱耦合到所述第一NFET的所述漏极， 且其中所述第二N阱耦合到所述第二NFET的所述漏极。

8.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一N阱耦合到所述第一电压供应节点，且其 中所述第二N阱耦合到所述第一N阱。

9.根据权利要求1所述的电路，其进一步包含：

共用N阱；

第一P阱，其延伸到所述共用N阱中，其中所述第一NFET的所述主体是所述第一P 阱的一部分；以及

第二P阱，其延伸到所述共用N阱中，其中所述第二NFET的所述主体是所述第二P 阱的一部分。