[发明专利]挠性电路板材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200880012010.X | 申请日： | 2008-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101688289A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | S·冈瑟;W·肖恩伯格;S·斯特拉克;N·希勒;V·柯克霍夫 | 申请（专利权）人： | 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 |
| 主分类号： | C23C14/20 | 分类号： | C23C14/20;H05K1/00;H05K3/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘维升;李连涛 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电路板 材料 及其 制备 方法 | ||
1.用于制备包含聚合物基底(2)和铜层(4)的挠性电路板材料的方法， 其特征在于，在聚合物基底(2)和铜层(4)之间沉积钛氧化物层(3)，在此 情况下，钛氧化物层(3)和铜层(4)通过真空法沉积。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，在聚合物基底(2)和铜层 (4)之间沉积二氧化钛层(3)。
3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，钛氧化物层(3)通过 磁控管溅射器来沉积。
4.根据权利要求3的方法，其特征在于，使用以平均频率5kHz 至250kHz运行的双磁控管。
5.根据权利要求3的方法，其特征在于，使用RF磁控管。
6.根据权利要求3至5之一的方法，其特征在于，使用在反应性 气体氧气存在下喷洒的钛靶。
7.根据权利要求6的方法，其特征在于，钛靶以完全反应性模式 喷洒。
8.根据前述权利要求之一的方法，其特征在于，铜层(4)通过磁控 管溅射器来沉积。
9.根据前述权利要求之一的方法，其特征在于，钛氧化物层和铜 层直接依次地在没有中断真空下沉积。
10.根据前述权利要求之一的方法，其特征在于，钛氧化物层以小 于100nm的厚度沉积。
11.包含聚合物基底(2)和铜层(4)的挠性电路板材料，其特征在于， 在聚合物基底(2)和铜层(4)之间形成钛氧化物层(3)。
12.根据权利要求11的挠性电路板材料，其特征在于，聚合物基 底(2)由材料聚酰亚胺，PEN，PEEK，PET或氟聚合物之一组成。
13.根据权利要求11或12的挠性电路板材料，其特征在于，钛氧 化物层(3)的厚度小于100nm。
14.根据权利要求11至13之一的挠性电路板材料，其特征在于， 钛氧化物层(3)以二氧化钛层形成。
15.根据权利要求14的挠性电路板材料，其特征在于，二氧化钛 层(3)的厚度小于75nm。
16.根据权利要求15的挠性电路板材料，其特征在于，二氧化钛 层(3)的厚度小于30nm。
17.根据权利要求11至16之一的挠性电路板材料，其特征在于， 按照IPC-Norm 650测得的铜层(4)的粘附强度为至少6N/cm。
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