[发明专利]通过使用一组哑元填充单元来执行哑元填充的方法和设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体设计和制造。更具体地，本发明涉及在设计布 局中执行哑元填充用于达到窄的目标密度范围内的一个目标密度。

背景技术

计算技术的飞速发展使得在数据集上每秒执行数万亿次的计算 操作成为可能，其中该数据集有时有万亿字节那么大。这些发展可以 归因于半导体制造技术的显著进步，目前的半导体制造技术使得在单 一芯片上集成数千万个器件成为可能。

布局的特征密度可以影响一些制造过程的行为。具体地，相比较 于高密度区域，制造过程可以在低密度区域表现不同。特征密度的非 一致性可以通过执行哑元填充来降低，即，通过向所述布局中空闲区 域添加哑元特征。

如果所述哑元特征小(相对于曝光波长而言)，则它们可能需要 辅助特征和光学邻近校正(OPC)以正确地印刷。然而，在该填充哑 元的布局上执行辅助特征放置和光学邻近校正可能由于哑元特征数 量巨大而非常耗时。此外，如果制造过程对特征密度变化高度敏感， 则哑元填充过程可能需要创建特征密度在窄的密度值范围内的填充 哑元布局。

发明内容

本发明的实施方式提供用于在设计布局中执行哑元填充的系统 和技术。一些半导体制造技术需要该哑元填充技术来放置哑元特征， 以便得到的布局达到严格的目标密度要求。一个实施方式可以执行哑 元填充，以便填充哑元的布局具有在窄的目标特征密度范围内的特征 密度。所期望的是哑元填充技术不应该大幅度增加用于执行光学邻近 校正和辅助特征放置所需要的时间。一个实施方式可以执行哑元填充 而不大幅度增加在填充哑元的布局上执行分辨率增强技术所需要的 时间。

在操作期间，一个实施方式可以接收包括其密度不在窄的目标密 度范围内的区域的设计布局。接下来，系统可以接收一组哑元填充单 元，其可以被用于放置哑元填充阵列以填充任意大小的矩形。例如， 所述哑元填充单元组可以包括角单元、边单元和中心单元。所述哑元 填充单元组可以包括辅助特征和光学邻近校正，它们能够使所述哑元 形状正确地印刷，而不管利用所述哑元填充单元组创建的哑元填充阵 列的大小。所述系统于是可以确定用于放置哑元填充阵列的一组矩 形，并且放置所述哑元填充阵列到一个或多个这些矩形中。注意较小 的阵列可能比较大的阵列具有较低的特征密度，因为角单元和边单元 可能比中心单元具有较低的密度。

在一个实施方式中，所述系统可以在所述设计布局上安置块网 格。接下来，所述系统可以选择该网格中那些不与该设计布局中其它 形状冲突的块。所述系统于是可以通过合并所选块形成多边形。接下 来，所述系统可以断裂该多边形以得到一组矩形，于是可以利用哑元 填充阵列来填充这些矩形。

注意由于所述系统可以使用已经具有光学邻近校正和/或辅助特 征的哑元填充单元组，所述系统可以在放置哑元填充阵列后不执行这 些耗时的分辨率增强技术。此外，由于所述系统可以一次填充一个矩 形，可以实现在窄的目标密度范围内的目标密度。

附图说明

图1示出了根据本发明的一个实施方式在集成电路的设计和制造 中的各个步骤；

图2示出了根据本发明的一个实施方式的过程加载效应；

图3呈现了示出了根据本发明的一个实施方式用于在设计布局中 执行哑元填充的过程的流程图；

图4示出了根据本发明的一个实施方式的一组哑元填充单元；

图5示出了根据本发明的一个实施方式系统如何可以确定多边形 以及然后将其断裂为一组矩形；

图6示出了根据本发明的一个实施方式的如何可以使用一组哑元 填充单元来创建一个哑元填充阵列；以及

图7示出了根据本发明的一个实施方式的计算机系统。

具体实施方式

集成电路(IC)设计流

图1示出了根据本发明的一个实施方式在集成电路的设计与制造 中的各个步骤。

该方法通常以该产品概念(步骤100)开始，其利用EDA软件设 计过程(步骤110)实现。当设计完成，便可以进行投片(tape-out) (事件140)，并进行制造过程(步骤150)以及封装和组装过程(步 骤160)，从而产生成品芯片(结果170)。