[发明专利]用于LED应用的红光荧光体有效
| 申请号： | 200880010725.1 | 申请日： | 2008-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101646747A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 埃米尔·韦尔吉洛夫·拉德科夫;阿南特·阿奇尤特·塞特勒尔;阿洛克·马尼·斯里瓦斯塔瓦;柳德米尔·斯拉夫切夫·格里戈罗夫 | 申请（专利权）人： | 照明有限责任公司 |
| 主分类号： | C09K11/62 | 分类号： | C09K11/62;C09K11/64 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 led 应用 红光 荧光 | ||
1.一种用于发射白光的发光装置，包括
半导体光源；以及
辐射性连接至所述光源的荧光体材料，其中，所述荧光体材料包括选自由以下各项组成的组中的至少一种荧光体：
(A)A2[MF5]:Mn4+，其中，A选自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它们的组合；而M选自Al、Ga、In或它们的组合；
(B)A3[MF6]:Mn4+，其中，A选自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它们的组合；而M选自Al、Ga、In或它们的组合；
(C)Zn2[MF7]:Mn4+，其中，M选自Al、Ga、In或它们的组合；以及
(D)A[In2F7]:Mn4+，其中，A选自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4或它们的组合。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述光源为发射波长范围为从370nm至550nm的辐射的半导体发光二极管(LED)。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述半导体光源包括由化学式IniGajAlkN表示的氮化合物半导体，其中，0≤i，0≤j，0≤k，且i+j+k＝1。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述光源为有机发射结构。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述荧光体材料被涂覆在所述光源的表面上。
6.根据权利要求1所述的发光装置，还包括包围所述光源和所述荧光体材料的密封剂。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其中，所述荧光体材料被分散在所述密封剂中。
8.根据权利要求1所述的发光装置，还包括反射杯。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述荧光体材料还包括一种或多种其他荧光体。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其中，所述一种或多种其他荧光体在430nm至500nm的范围内具有发射最大值。
11.根据权利要求9所述的发光装置，其中，所述一种或多种其他荧光体在500nm至610nm的范围内具有发射最大值。
12.根据权利要求11所述的发光装置，其中，所述一种或多种其他荧光体是用Ce3+激活的石榴石或用Eu2+激活的碱土金属正硅酸盐中的一种或多种。
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