[发明专利]半导体材料处理设备的镀铝部件和制造该部件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体材料处理设备的镀铝部件和制造该部件的 方法。

背景技术

[0001]在半导体材料处理领域，使用包括处理室的半导体材料 处理设备，例如，用于在基片上各种不同材料的蚀刻和化学气相沉 积，以及用于抗蚀剂剥除。这些工艺的一些在这样的处理室中采用 腐蚀性和侵蚀性的工艺气体和等离子。需要最小化该室中基片的颗 粒和/或金属污染。因此，需要这样的设备的等离子暴露部件在暴露 于这样的气体和等离子时耐磨损。

发明内容

[0002]半导体材料处理设备的镀铝部件的示范性实施例包括基 片，其包含至少第一表面；在该基片的至少该第一表面上的可选的 中间层，该中间层包括至少第二表面；在该基片的第一表面上或在 该可选的中间层的第二表面上的高纯度、电沉积铝镀层，该铝镀层 包括，以wt.％计，至少99.00％Al和/或≤0.10％总的过渡元素，其中 其上设置该铝镀层的该第一表面或该第二表面是导电表面，且该铝 镀层包括该部件的工艺暴露外表面。

[0003]半导体材料处理设备的镀铝部件的另一示范性实施例包 括基片，其包括至少第一表面；该基片的至少第一表面上的可选的 中间层，该中间层包括至少第二表面；在该基片的第一表面上或在 该可选的中间层的第二表面上的高纯度铝镀层，其中其上设有该铝 镀层的该第一表面或该第二表面是导电表面；以及形成在该铝镀层 上的阳极氧化层，该阳极氧化层包括该部件的工艺暴露外表面。

[0004]制作半导体材料处理设备的镀铝部件的示范性实施例包 括可选地在基片的至少第一表面上形成中间层，该中间层包括至少 第二表面；在该基片的第一表面上或在该可选的中间层的第二表面 上电沉积高纯度铝镀层，其中其上形成该铝镀层的该基片的第一表 面或该中间层的第二表面是导电表面，该铝镀层包括该部件的外表 面；以及可选地在该铝镀层上形成阳极氧化层，该阳极氧化层覆盖 该铝镀层的外表面且包括该部件的工艺暴露外表面。

附图说明

[0005]图1说明镀铝部件的示范性实施例，包括基片和该基片表 面上的铝镀层以及包括该部件的工艺暴露外表面。

[0006]图2说明镀铝部件的另一示范性实施例，包括基片、该基 片上的中间层以及该中间层上的铝铝镀层，以及包括该部件的工艺 暴露外表面。

[0007]图3说明镀铝部件的另一示范性实施例，包括基片，该基 片包括基底部分和与该基底部分集成的外部，还包括该基片外部上 的铝镀层以及包括该部件的工艺暴露外表面。

[0008]图4说明镀铝部件的另一示范性实施例，包括基片、在该 基片上的铝镀层和在该铝镀层上的阳极氧化层并包括该部件的工 艺暴露外表面。

[0009]图5说明抗蚀剂剥除室的示范性实施例，可以将镀铝部件 的实施例安装在该室中。

具体实施方式

[0010]这里描述半导体材料处理设备的部件、制作这些部件的 方法和在包括一个或多个该部件的处理室中处理半导体材料的方 法。该部件包括耐磨损外表面，其在该部件用于半导体材料处理设 备的等离子处理室时耐磨损。如这里使用的，术语“耐磨”包括对 物理和/或化学攻击的抗性，如可由工艺暴露表面腐蚀、侵蚀和/或 腐蚀-侵蚀导致的。

[0011]该部件包括基片和在该基片至少一个表面上的耐磨涂 层。该基片被涂覆的“表面”可以是外部表面或者形成孔、腔或缝 隙的内表面。该涂层可以应用于该部件一个或多个或者全部的外部 表面上。该耐磨涂层可以在部件整个外部表面上。该涂层也可应用 于该部件的一个或多个或全部可以到达的内部表面。

[0012]该耐磨涂层包括铝镀层。在一些实施例中，该铝镀层包 括该部件的工艺暴露表面。在其他实施例中，阳极氧化层形成在该 铝镀层上，并包括该部件的工艺暴露表面。