[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号: | 200880010390.3 | 申请日: | 2008-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN101647100A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
| 发明(设计)人: | 速水利泰 | 申请(专利权)人: | 住友精密工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,至少包括:
具有闭塞空间,在内部收纳基板的处理腔室;
向所述处理腔室内供给处理气体的气体供给机构;
对所述处理腔室内进行减压的第一排气机构;
施加高频电力的电力施加机构;
被所述电力施加机构施加高频电力,从而使供给至所述处理腔室内的处理气体等离子体化的等离子体生成机构;
加热所述处理腔室的加热机构;
冷却所述处理腔室的冷却机构,其包括:具有冷却流体所流通的冷却流路,以与所述处理腔室的外表面抵接或者与所述处理腔室的外表面隔开间隔相对的方式设置的金属制的冷却部件;向所述冷却部件的冷却流路内供给所述冷却流体的冷却流体供给机构;和在所述冷却部件与处理腔室之间以与它们抵接的方式设置的环状的密封部件;
对所述密封部件的环内进行减压的第二排气机构;以及
控制所述气体供给机构、第一排气机构、第二排气机构、电力施加机构、加热机构和冷却机构的运行的控制机构,
所述控制机构构成为:控制所述第二排气机构,使得在没有利用所述电力施加机构对所述等离子体生成机构施加高频电力时,所述密封部件的环内被减压到预先设定的压力;控制所述第二排气机构,使得在利用所述电力施加机构对所述等离子体生成机构施加高频电力时,所述密封部件的环内变为比所述预先设定的压力高的压力。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述冷却流体是水。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述预先设定的压力P(Pa)被设定为满足以下关系,
P≤3.11×10-6×T/(g×δ2)
其中,T(K)是空气的绝对温度,δ(μm)是空气的分子直径(=3.72×10-4),g(μm)是冷却部件与处理腔室之间的间隔。
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述冷却部件与处理腔室之间的间隔被设定为大于0μm且为100μm以下。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述控制机构构成为:控制所述第二排气机构,使得在利用所述电力施加机构对所述等离子体生成机构施加的高频电力较大时,所述密封部件的环内的压力变高;控制所述第二排气机构,使得在利用所述电力施加机构对所述等离子体生成机构施加的高频电力较小时,所述密封部件的环内的压力变低。
6.如权利要求1~5中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
还具有检测所述处理腔室的温度的温度检测机构,
所述控制机构构成为:根据由所述温度检测机构检测出的温度,控制所述加热机构的运行,使所述处理腔室的温度为预先设定的温度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友精密工业株式会社,未经住友精密工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880010390.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





