[发明专利]改进熔结密封的玻璃封装体的方法和装置

权利要求书

1.一种气密封的封装体，其包括：

包含内表面和外表面的第一板；

包含内表面和外表面的第二板；

设置于第二板内表面上的玻璃料；以及

直接或间接设置在以下两个内表面中至少一个内表面上的至少一个介电层：(i)至少与玻璃料相对的第一板内表面，以及(ii)至少直接或间接位于玻璃料上的第二板内表面，

其中玻璃料受热后形成抵靠介电层的气密封。

2.如权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述第一和第二板中的至少一个由选自金属、合金、陶瓷、玻璃、石英和聚合物的材料形成。

3.如权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述介电层包含氮化硅。

4.如权利要求3所述的封装体，其特征在于，所述介电层具有以下厚度之一：约10-600nm之间，约100-500nm之间，约200-500nm之间，约10-50nm之间，约400nm。

5.如权利要求3所述的封装体，其特征在于，所述介电层包括位于氮化硅上的氧化硅层。

6.如权利要求5所述的封装体，其还包括从氮化硅层到氧化硅层的梯度。

7.如权利要求5所述的封装体，其特征在于：

氧化硅层的厚度约为10-100nm；以及

氮化硅层的厚度为以下之一：约10-500nm之间，约100-500nm之间，约200-500nm之间，约10-50nm之间，约400nm。

8.如权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述介电层的压缩应力为以下之一：约0.01-700MPa，约200-500MPa，约400-500MPa，约500MPa。

9.如权利要求1所述的封装体，其还包括设置在第一板内表面上的一个或多个电子组件。

10.如权利要求9所述的封装体，其具有以下特征之一：

所述至少一个介电层不覆盖所述一个或多个电子组件；以及

所述至少一个介电层覆盖所述一个或多个电子组件，从而减少对电子组件的腐蚀。

11.如权利要求9所述的封装体，其特征在于，所述一个或多个电子组件包括一个或多个有机发光器件(OLED)。

12.如权利要求11所述的封装体，其特征在于：

所述一个或多个OLED包括阳极和阴极；以及

所述至少一个介电层至少部分地覆盖阳极和阴极中的至少一个，从而减小对电极的腐蚀和损害中的至少一种影响。

13.如权利要求1所述的封装体，其具有以下特征中的至少一个：

所述介电层覆盖玻璃料并且直接覆盖第二板内表面的至少一部分；

所述介电层覆盖玻璃料并且直接覆盖第二板的几乎全部内表面；

所述介电层覆盖玻璃料并且不覆盖第二板内表面的显著部分。

14.如权利要求1所述的封装体，其具有以下特征之一：

所述至少一个介电层直接或间接设置在第一板和第二板两者的内表面上；以及

所述至少一个介电层直接或间接设置在第一板和第二板之一的内表面上。

15.一种方法，其包括：

提供第一板和第二板，各板分别包含内表面和外表面；

将玻璃料设置在第二板内表面上；

将至少一个介电层直接或间接设置在以下内表面中的至少一个内表面上：(i)至少与玻璃料相对的第一板内表面，以及(ii)至少直接或间接位于玻璃料上的第二板内表面；

使玻璃料与介电层接触；以及

加热玻璃料，使之至少部分熔化，形成抵靠介电层的气密封，从而形成气密封的封装体。

16.如权利要求15所述的方法，其还包括在玻璃料接触介电层之前烧结玻璃料。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，将介电层设置在第一板内表面上的步骤包括沉积第一层氮化硅并在氮化硅上沉积第二层氧化硅。

18.如权利要求17所述的方法，其还包括从氮化硅层到氧化硅层形成梯度。

19.如权利要求15所述的方法，其还包括在设置介电层之前，在第一板内表面上设置一个或多个电子组件。